普通硅MOSFET的体二极管的安全递减计数器
发布时间:2021/3/19 20:14:02 访问次数:190
罗姆碳化硅产品,ROHM的广泛产品组合包括SiC肖特基势垒二极管（SBD）、SiC MOSFET、全SiC功率模块（集成SiC SBD和MOSFET）以及高耐热功率模块。
OPTIGA Authenticate IDoT采用坚固且经过验证的TSNP SMD封装，尺寸仅为1.5 x 1.5 x 0.38 mm3。
它支持四种ECC验证模式：单向、双向、主机绑定和主机支持。设计人员可从三个温度范围，两个通信配置文件，三组存储器和四个集成的安全递减计数器中进行选择，这些计数器具有安全的生命周期管理、无外接LDO和强大的ESD保护。此外，OPTIGA Authenticate IDoT还提供独特的片上交钥匙数字证书和密钥对。
制造商:MaxLinear 产品种类:RS-422/RS-485 接口 IC RoHS: 详细信息 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 系列:SP485E 功能:Transceiver 数据速率:10 Mb/s 激励器数量:1 Driver 接收机数量:1 Receiver 电源电压-最小:4.75 V 电源电压-最大:5.25 V 工作电源电压:5 V 工作电源电流:900 uA 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 输入电压:- 7 V to 12 V 输出电流:250 mA 输出类型:3-State 输出电压:1.5 V to 5 V 产品:RS-422/RS-485 Transceivers 类型:Transceiver 商标:MaxLinear 关闭:No Shutdown 双工:Half Duplex ESD 保护:2 kV Pd-功率耗散:500 mW 产品类型:RS-422/RS-485 Interface IC 传播延迟时间:30 ns, 45 ns 支持协议:RS-422, RS-485 工厂包装数量:2500 子类别:Interface ICs 单位重量:187 mg
与它们所替代的硅部件相比，SiC功率器件的能效得到了极大的提高，而且成本溢价大幅下降，使得更多的应用能够从这些器件中受益，从而获得更好的系统性能和价值。
SiC MOSFET技术支持Midnite Solar最新的电源转换产品设计，我们确实很高兴看到先进的功率器件和系统解决方案为我们的尊贵客户带来积极的改变。
碳化硅解决了一个关键的挑战，普通硅MOSFET的体二极管速度非常慢，试图使逆变器作为充电器工作，它必须双向运行是非常困难的。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
罗姆碳化硅产品,ROHM的广泛产品组合包括SiC肖特基势垒二极管（SBD）、SiC MOSFET、全SiC功率模块（集成SiC SBD和MOSFET）以及高耐热功率模块。
OPTIGA Authenticate IDoT采用坚固且经过验证的TSNP SMD封装，尺寸仅为1.5 x 1.5 x 0.38 mm3。
它支持四种ECC验证模式：单向、双向、主机绑定和主机支持。设计人员可从三个温度范围，两个通信配置文件，三组存储器和四个集成的安全递减计数器中进行选择，这些计数器具有安全的生命周期管理、无外接LDO和强大的ESD保护。此外，OPTIGA Authenticate IDoT还提供独特的片上交钥匙数字证书和密钥对。
制造商:MaxLinear 产品种类:RS-422/RS-485 接口 IC RoHS: 详细信息 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 系列:SP485E 功能:Transceiver 数据速率:10 Mb/s 激励器数量:1 Driver 接收机数量:1 Receiver 电源电压-最小:4.75 V 电源电压-最大:5.25 V 工作电源电压:5 V 工作电源电流:900 uA 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 输入电压:- 7 V to 12 V 输出电流:250 mA 输出类型:3-State 输出电压:1.5 V to 5 V 产品:RS-422/RS-485 Transceivers 类型:Transceiver 商标:MaxLinear 关闭:No Shutdown 双工:Half Duplex ESD 保护:2 kV Pd-功率耗散:500 mW 产品类型:RS-422/RS-485 Interface IC 传播延迟时间:30 ns, 45 ns 支持协议:RS-422, RS-485 工厂包装数量:2500 子类别:Interface ICs 单位重量:187 mg
与它们所替代的硅部件相比，SiC功率器件的能效得到了极大的提高，而且成本溢价大幅下降，使得更多的应用能够从这些器件中受益，从而获得更好的系统性能和价值。
SiC MOSFET技术支持Midnite Solar最新的电源转换产品设计，我们确实很高兴看到先进的功率器件和系统解决方案为我们的尊贵客户带来积极的改变。
碳化硅解决了一个关键的挑战，普通硅MOSFET的体二极管速度非常慢，试图使逆变器作为充电器工作，它必须双向运行是非常困难的。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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