DDR5 DIMM新架构独立的32位通道的缓冲电容器
发布时间:2021/3/17 23:59:13 访问次数:465
ModCap 采用特殊结构设计，能最大限度减小杂散电感，整个系列的电感值均不超过 14 nH。新颖的设计还使其能靠近 IGBT 模块安装，最大限度缩短了引线。
加上低至 14 nH 的超低自感，可确保在断电时有效防止 IGBT 模块上出现明显电压过冲。因此，一般情况下就无需额外的缓冲电容器。
ModCap 凝聚了 TDK 在 AD-HOC 树脂填充解决方案领域的丰富经验和知识，采用智能金属型材，可最大化自愈能力，同时能处理高电流密度并控制损耗。
制造商: Microchip
产品种类: 8位微控制器 -MCU
RoHS: 详细信息
系列: PIC18(L)F2xK40
封装 / 箱体: QFN-28
资格: AEC-Q100
封装: Cut Tape
封装: Reel
商标: Microchip Technology
湿度敏感性: Yes
产品类型: 8-bit Microcontrollers - MCU
工厂包装数量: 1600
子类别: Microcontrollers - MCU
商标名: PIC
单位重量: 643.841 mg
在优化DDR5 DRAM内核运算能力上，Longsys DDR5增加内置纠错码（ECC），全面实现数据纠错能力，进一步提高数据完整性，同时也缓解了系统错误校正负担并充分利用DRAM读写的高效机制。
BL16使得Longsys DDR5内存的并发性在DDR4的基础上提升了一倍，信号能够更完整高效地传递。本次DDR5 DIMM新架构采用了两个完全独立的32位通道，提高了并发性，并使系统中可用的内存通道增加了一倍。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
ModCap 采用特殊结构设计，能最大限度减小杂散电感，整个系列的电感值均不超过 14 nH。新颖的设计还使其能靠近 IGBT 模块安装，最大限度缩短了引线。
加上低至 14 nH 的超低自感，可确保在断电时有效防止 IGBT 模块上出现明显电压过冲。因此，一般情况下就无需额外的缓冲电容器。
ModCap 凝聚了 TDK 在 AD-HOC 树脂填充解决方案领域的丰富经验和知识，采用智能金属型材，可最大化自愈能力，同时能处理高电流密度并控制损耗。
制造商: Microchip
产品种类: 8位微控制器 -MCU
RoHS: 详细信息
系列: PIC18(L)F2xK40
封装 / 箱体: QFN-28
资格: AEC-Q100
封装: Cut Tape
封装: Reel
商标: Microchip Technology
湿度敏感性: Yes
产品类型: 8-bit Microcontrollers - MCU
工厂包装数量: 1600
子类别: Microcontrollers - MCU
商标名: PIC
单位重量: 643.841 mg
在优化DDR5 DRAM内核运算能力上，Longsys DDR5增加内置纠错码（ECC），全面实现数据纠错能力，进一步提高数据完整性，同时也缓解了系统错误校正负担并充分利用DRAM读写的高效机制。
BL16使得Longsys DDR5内存的并发性在DDR4的基础上提升了一倍，信号能够更完整高效地传递。本次DDR5 DIMM新架构采用了两个完全独立的32位通道，提高了并发性，并使系统中可用的内存通道增加了一倍。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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