功率管理模块和DC/DC与LDO稳压器改善AD转换器

发布时间:2021/3/16 22:41:58 访问次数:558

像素数的增加意味着信号处理量的增加，从而导致帧率下降、读出时间延长等问题。为了实现高速读出，必须提高将像素输出的模拟信号转换为数字信号的AD转换器的处理功能，同时提高输出接口的速度。

这款产品采用了索尼独创的设备配置，采用了晶圆上芯片工艺，将具有某些功能的芯片堆叠在像素晶圆顶部，从而实现了AD转换器的最佳定位。这种设计在不增加尺寸的情况下，改善了AD转换器的处理功能。

制造商:ROHM Semiconductor 产品种类:MOSFET RoHS: 详细信息技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-723-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:50 V Id-连续漏极电流:200 mA Rds On-漏源导通电阻:2.2 Ohms Vgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 8 V Vgs th-栅源极阈值电压:300 mV Qg-栅极电荷:- 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:150 mW 通道模式:Enhancement 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 系列:RUM002N05 晶体管类型:1 N-Channel 商标:ROHM Semiconductor 正向跨导 - 最小值:400 ms 下降时间:55 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:6 ns 工厂包装数量:8000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:15 ns 典型接通延迟时间:4 ns 零件号别名:RUM002N05 单位重量:33 mg

i.MX RT1170是i.MXRT系列产品的新高端处理器,集成了高性能工作高达1GHz的ArmCortex®-M7核和工作高达400MHz的能效Cortex®-M4核.

i.MX RT1170处理器有2MB片上RAM,包括可灵活配置TCM(和M7 TCM共享的512KB RAM 以及和M4 TCM共享的256KB RAM) 768KB RAM或通用片上RAM.

器件集成了先进的功率管理模块和DC/DC与LDO稳压器,降低了外部电源的复杂性,简化了加电次序.

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）

i.MX RT1170是i.MXRT系列产品的新高端处理器,集成了高性能工作高达1GHz的ArmCortex®-M7核和工作高达400MHz的能效Cortex®-M4核.

i.MX RT1170处理器有2MB片上RAM,包括可灵活配置TCM(和M7 TCM共享的512KB RAM 以及和M4 TCM共享的256KB RAM) 768KB RAM或通用片上RAM.

器件集成了先进的功率管理模块和DC/DC与LDO稳压器,降低了外部电源的复杂性,简化了加电次序.

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相关IC型号: XC61FN3212PR; 24C16B; OTI9796; 88341; 93LC861P8SP; BLM18BA220SN1D; KS57C21418P-B3DCC; EF68A09P; L78S18CV; BUK101-50DL

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