在2004年非易失性存储技术研讨会上，德州仪器(TI)与Ramtron国际公司透露了更多有关双方合作开发铁电随机存取存储器(FRAM)的细节。两家公司预计介绍一种采用130纳米工艺技术的“功能性(functional)”嵌入FRAM(eFRAM)。这种含五层金属的技术还将铜互连和硅酸氟(FSG)作为材料的备选。

　　TI与Ramtron据称将携手合作，共同开发4Mb FRAM。TI研发FRAM技术已有数年，但该公司称其非易失性存储器项目已走上正轨。“我们仍然计划2005年将产品上市，”TI的一位发言人表示。最初，TI将在Ramtron的一处代工厂制造FRAM。首批部件定于2005年初交付。随后，TI预计将到2005年底生产独立的eFRAM。

　　TI及Ramtron称eFRAM较嵌入闪存、DRAM及SRAM具备几大优势。该技术“提供快速写入时间(<35-ns)和低功耗非易失性数据保持。而且，eFRAM功能更具成本效益，因为单元尺寸比SRAM单元小得多。”