同相双通道高速栅极驱动器电流采样
发布时间:2021/3/16 8:49:35 访问次数:266
抗干扰能力强的器件,例如纳芯微电子新推出的同相双通道高速栅极驱动器NSD1025。
NSD1025通过优化输入端的ESD结构,能够承受最大-10V的输入电压,相比其他竞品驱动,NSD1025更能应对常见应用场景的瞬态负脉冲,有更好的可靠性。
除了耐受负压能力强,NSD1025还提供欠压锁定功能,保持输出低电平直到电源电压进入工作范围内,而高低阈值之间的迟滞功能也提供了更出色的抗干扰能力。
产品种类: 运算放大器 - 运放RoHS: 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSSOP-8
通道数量: 2 Channel
电源电压-最大: 36 V
GBP-增益带宽产品: 1 MHz
SR - 转换速率 : 3.5 V/us
Vos - 输入偏置电压 : 15 mV
电源电压-最小: 7 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
Ib - 输入偏流: 200 pA
工作电源电流: 200 uA
关闭: No Shutdown
CMRR - 共模抑制比: 70 dB to 86 dB
en - 输入电压噪声密度: 42 nV/sqrt Hz
系列: TL062
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
放大器类型: Low Power Amplifier
高度: 1.15 mm
输入类型: Rail-to-Rail
长度: 3 mm
产品: Operational Amplifiers
电源类型: Single, Dual
技术: BiFET
宽度: 4.4 mm
商标: Texas Instruments
双重电源电压: +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V, +/- 15 V
最大双重电源电压: +/- 18 V
最小双重电源电压: +/- 3.5 V
工作电源电压: 7 V to 36 V, +/- 3.5 V to +/- 18 V
产品类型: Op Amps - Operational Amplifiers
工厂包装数量: 2000
子类别: Amplifier ICs
Vcm - 共模电压: Negative Rail + 4 V to Positive Rail - 4 V
电压增益 dB: 75.56 dB
单位重量: 39 mg
其它的特性还有内部软起动,轻负载时跳过周期,短路/开路保护和内部滞后热关断。器件是TO-263封装。
封装在 40平方毫米的强导热塑料BGA,SCX200奔腾类SOC器件的功耗低于1W。
指标是:30Vdc 1A或125Vac 0.3A的分立负载,工作和重置时间为3ms,在1GHz时的绝缘为20dB,工作温度为0到70度。
抗干扰能力强的器件,例如纳芯微电子新推出的同相双通道高速栅极驱动器NSD1025。
NSD1025通过优化输入端的ESD结构,能够承受最大-10V的输入电压,相比其他竞品驱动,NSD1025更能应对常见应用场景的瞬态负脉冲,有更好的可靠性。
除了耐受负压能力强,NSD1025还提供欠压锁定功能,保持输出低电平直到电源电压进入工作范围内,而高低阈值之间的迟滞功能也提供了更出色的抗干扰能力。
产品种类: 运算放大器 - 运放RoHS: 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSSOP-8
通道数量: 2 Channel
电源电压-最大: 36 V
GBP-增益带宽产品: 1 MHz
SR - 转换速率 : 3.5 V/us
Vos - 输入偏置电压 : 15 mV
电源电压-最小: 7 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
Ib - 输入偏流: 200 pA
工作电源电流: 200 uA
关闭: No Shutdown
CMRR - 共模抑制比: 70 dB to 86 dB
en - 输入电压噪声密度: 42 nV/sqrt Hz
系列: TL062
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
放大器类型: Low Power Amplifier
高度: 1.15 mm
输入类型: Rail-to-Rail
长度: 3 mm
产品: Operational Amplifiers
电源类型: Single, Dual
技术: BiFET
宽度: 4.4 mm
商标: Texas Instruments
双重电源电压: +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V, +/- 15 V
最大双重电源电压: +/- 18 V
最小双重电源电压: +/- 3.5 V
工作电源电压: 7 V to 36 V, +/- 3.5 V to +/- 18 V
产品类型: Op Amps - Operational Amplifiers
工厂包装数量: 2000
子类别: Amplifier ICs
Vcm - 共模电压: Negative Rail + 4 V to Positive Rail - 4 V
电压增益 dB: 75.56 dB
单位重量: 39 mg
其它的特性还有内部软起动,轻负载时跳过周期,短路/开路保护和内部滞后热关断。器件是TO-263封装。
封装在 40平方毫米的强导热塑料BGA,SCX200奔腾类SOC器件的功耗低于1W。
指标是:30Vdc 1A或125Vac 0.3A的分立负载,工作和重置时间为3ms,在1GHz时的绝缘为20dB,工作温度为0到70度。