低频率同步及由用户选择的300kHz或400kHz的开关频率
发布时间:2021/3/16 8:39:56 访问次数:1303
200V功率MOSFET的器件，具有设计有效DC/DC转换器所需的所有控制电路和保护功能，因此，能节省多达50个外接元器件，导致更短的设计周期，更低的成本，更小的板的尺寸。
器件的输入电压为6V到75V，能处理高达110瓦的连续输出功率。
利用其中的三个引脚，可进行在线感应，从外部准确的设定限制电流，遥控开/关，和更低频率同步以及由用户选择的300kHz或400kHz的开关频率。
产品分类MOSFETs
晶体管
FET配置（电路类型）N和P沟道互补型 漏极电流（Id, 连续）3.4A，2.3A 阈值电压Vgs(th)1.5V@250μA 最大耗散功率1.15W 封装/外壳SC-74，SOT-457 产品分类MOSFETs
晶体管
FET配置（电路类型）N和P沟道互补型 漏极电流（Id, 连续）3.4A，2.3A 阈值电压Vgs(th)1.5V@250μA 最大耗散功率1.15W 封装/外壳SC-74，SOT-457
负向电压与寄生电感和电流变化率均成正比。在典型的低边栅极驱动电路中，虽然控制器和功率MOSFET使用同一个直流地平面作为参考，但一些情况下，由于驱动器和控制器有一定距离，所以总会存在寄生电感。
高di/dt的电流在流经MOSFET及其板级回路时，寄生电感存在会导致驱动器的地电位相对于控制器地电位瞬间抬升，驱动器的输入和地之间就相当于出现一个瞬间负压。在极端情况下，可能造成驱动器内部输入ESD器件受损，驱动器出现失效。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
200V功率MOSFET的器件，具有设计有效DC/DC转换器所需的所有控制电路和保护功能，因此，能节省多达50个外接元器件，导致更短的设计周期，更低的成本，更小的板的尺寸。
器件的输入电压为6V到75V，能处理高达110瓦的连续输出功率。
利用其中的三个引脚，可进行在线感应，从外部准确的设定限制电流，遥控开/关，和更低频率同步以及由用户选择的300kHz或400kHz的开关频率。
产品分类MOSFETs
晶体管
FET配置（电路类型）N和P沟道互补型 漏极电流（Id, 连续）3.4A，2.3A 阈值电压Vgs(th)1.5V@250μA 最大耗散功率1.15W 封装/外壳SC-74，SOT-457 产品分类MOSFETs
晶体管
FET配置（电路类型）N和P沟道互补型 漏极电流（Id, 连续）3.4A，2.3A 阈值电压Vgs(th)1.5V@250μA 最大耗散功率1.15W 封装/外壳SC-74，SOT-457
负向电压与寄生电感和电流变化率均成正比。在典型的低边栅极驱动电路中，虽然控制器和功率MOSFET使用同一个直流地平面作为参考，但一些情况下，由于驱动器和控制器有一定距离，所以总会存在寄生电感。
高di/dt的电流在流经MOSFET及其板级回路时，寄生电感存在会导致驱动器的地电位相对于控制器地电位瞬间抬升，驱动器的输入和地之间就相当于出现一个瞬间负压。在极端情况下，可能造成驱动器内部输入ESD器件受损，驱动器出现失效。
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