为了实现更精确的控制，有时在功率MOSFET和大地之间会接一个采样电阻，用这个采样电阻来检测流过MOSFET的电流，从而使控制器能快速做出响应。

而为了使MOSFET的驱动环路足够小，会将驱动器的GND引脚与MOSFET的源极连接在一起，而控制芯片的GND与真正的地平面在一起，这样驱动器的GND和控制芯片GND之间就会存在一个偏置电压，因此控制芯片输出低电平时，相对于驱动器的输入端，则有一个负向的偏置电压。

产品分类MOSFETs

晶体管

FET配置（电路类型）N和P沟道互补型 漏极电流（Id, 连续）3.4A，2.5A 阈值电压Vgs(th)1V@250μA 最大耗散功率1.1W 封装/外壳SC-74，SOT-457 产品分类MOSFETs

晶体管

FET配置（电路类型）N和P沟道互补型 漏极电流（Id, 连续）3.4A，2.5A 阈值电压Vgs(th)1V@250μA 最大耗散功率1.1W 封装/外壳SC-74，SOT-457

因为功率MOSFET对栅极驱动电流有较高的要求，驱动芯片就相当于PWM开关控制芯片与功率MOSFET之间的桥梁，用来将开关信号电流和电压放大，同时具备一定的故障隔离能力。

选用高速高可靠性的驱动IC，可以帮助电源系统提升效率和功率密度。