36个256M位FBGA封装的存储器器芯片
发布时间:2021/3/15 23:28:37 访问次数:988
新的厚膜片状电阻，其占位面积为业界最小，适用于板的空间要求严格的地方。
CRCW0201的额定功率为50mW,最高工作电压为30V,TCR标准值为±200 ppm/度。新型电阻值从10 W 到1 MW，误差为±5%。
可流动焊接的端头有镍阻挡层，CRCW0201和自动贴片兼容，因此很容易组合成紧凑的系统。片状电阻在高质量陶瓷上涂有金属釉和保护面釉，以保证电阻适应严格要求的环境。
制造商:Infineon 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220FP-3 Vds-漏源极击穿电压:600 V 封装:Tube 高度:16.15 mm 长度:10.65 mm 宽度:4.85 mm 商标:Infineon Technologies 产品类型:MOSFET 子类别:MOSFETs
DDR DIMM存储器模块DDR333，目标应用在需要超高容量高性能尺度大小(1.2英吋高度)计算机服务器和工作站。
采用36个256M位FBGA封装的存储器器芯片，184引脚模块比用TSOP封装的同样容量的模块，板面积要小60%。
此外，由于封装引起的寄生参数在数据引脚减小50%，其负载电感为3.0nH,电容为0.32pF,电阻为0.12欧姆。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
新的厚膜片状电阻，其占位面积为业界最小，适用于板的空间要求严格的地方。
CRCW0201的额定功率为50mW,最高工作电压为30V,TCR标准值为±200 ppm/度。新型电阻值从10 W 到1 MW，误差为±5%。
可流动焊接的端头有镍阻挡层，CRCW0201和自动贴片兼容，因此很容易组合成紧凑的系统。片状电阻在高质量陶瓷上涂有金属釉和保护面釉，以保证电阻适应严格要求的环境。
制造商:Infineon 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220FP-3 Vds-漏源极击穿电压:600 V 封装:Tube 高度:16.15 mm 长度:10.65 mm 宽度:4.85 mm 商标:Infineon Technologies 产品类型:MOSFET 子类别:MOSFETs
DDR DIMM存储器模块DDR333，目标应用在需要超高容量高性能尺度大小(1.2英吋高度)计算机服务器和工作站。
采用36个256M位FBGA封装的存储器器芯片，184引脚模块比用TSOP封装的同样容量的模块，板面积要小60%。
此外，由于封装引起的寄生参数在数据引脚减小50%，其负载电感为3.0nH,电容为0.32pF,电阻为0.12欧姆。
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