TTL和CMOS兼容光电检测器有数字输出-集电极开路
发布时间:2021/3/15 22:49:09 访问次数:769
器件有很高的光灵敏度，提供高EMI抑制，集成的日光滤波器使它能和红外(IR)发射器的光谱匹配，波长为何50nm.TEKS6400红外辐射阈值为40umW/cm2.
TTL和CMOS兼容光电检测器有数字输出-集电极开路，如果红外光"有"，是低输出信号以及和数字IC有数字接口。它也有FSZ标准扇型的封装。
对于完整的光传感器解决方案，Vishay公司推荐和IR发射器TSKS5400兼容的封装。
制造商:Vishay 产品种类:MOSFET RoHS: 详细信息 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-6 晶体管极性:N-Channel, P-Channel 通道数量:2 Channel Vds-漏源极击穿电压:30 V Id-连续漏极电流:2.5 A, 1.7 A Rds On-漏源导通电阻:77 mOhms, 170 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 V Vgs th-栅源极阈值电压:600 mV Qg-栅极电荷:3 nC, 3.8 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:830 mW 通道模式:Enhancement 商标名:TrenchFET 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Dual 系列:SI3 晶体管类型:1 N-Channel, 1 P-Channel 商标:Vishay Semiconductors 正向跨导 - 最小值:10 S, 5 S 下降时间:7 ns, 20 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:12 ns, 15 ns 工厂包装数量:3000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:13 ns, 20 ns 典型接通延迟时间:5 ns, 5 ns 零件号别名:SI3590DV-T1 单位重量:20 mg
通过添加外电阻器可实现更高级的输出电压调节。该模块的效率极高，在输出电流为4A时效率为93%。
该电源模块还有短路保护、待机、输出禁制和热关断等功能。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
器件有很高的光灵敏度，提供高EMI抑制，集成的日光滤波器使它能和红外(IR)发射器的光谱匹配，波长为何50nm.TEKS6400红外辐射阈值为40umW/cm2.
TTL和CMOS兼容光电检测器有数字输出-集电极开路，如果红外光"有"，是低输出信号以及和数字IC有数字接口。它也有FSZ标准扇型的封装。
对于完整的光传感器解决方案，Vishay公司推荐和IR发射器TSKS5400兼容的封装。
制造商:Vishay 产品种类:MOSFET RoHS: 详细信息 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-6 晶体管极性:N-Channel, P-Channel 通道数量:2 Channel Vds-漏源极击穿电压:30 V Id-连续漏极电流:2.5 A, 1.7 A Rds On-漏源导通电阻:77 mOhms, 170 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 V Vgs th-栅源极阈值电压:600 mV Qg-栅极电荷:3 nC, 3.8 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:830 mW 通道模式:Enhancement 商标名:TrenchFET 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Dual 系列:SI3 晶体管类型:1 N-Channel, 1 P-Channel 商标:Vishay Semiconductors 正向跨导 - 最小值:10 S, 5 S 下降时间:7 ns, 20 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:12 ns, 15 ns 工厂包装数量:3000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:13 ns, 20 ns 典型接通延迟时间:5 ns, 5 ns 零件号别名:SI3590DV-T1 单位重量:20 mg
通过添加外电阻器可实现更高级的输出电压调节。该模块的效率极高，在输出电流为4A时效率为93%。
该电源模块还有短路保护、待机、输出禁制和热关断等功能。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
相关技术资料- 5-7储能逆变、变频器、伺服电机及光通信应用场景
- 5-7第二代0.7微米5000万像素CIS GC50E1
- 5-7PACK、储能系统集成、逆变器及储能解读
- 5-7单帧高动态 DAG HDR 技术单芯片高像素CIS架
- 5-7第四代超薄叠片工艺与创新三维集流技术探究
- 5-7行业技术标杆Mr.Big系列600Ah+储能电芯
- 5-6集成 MPPT 算法 DC-DC 芯片产品应用概述
- 5-6PMU 芯片、AI 电源管理芯片优特点及用途分析
- 5-6单芯片高像素CIS架构3,200 万像素图像传感器
- 5-6UFS主控芯片WM7000系列应用详情
- 5-6模拟芯片与互联芯片市场布局走势及应用前景探究
- 5-6存储芯片市场布局驱动芯片与智能卡芯片产品发展趋势分析
公网安备44030402000607
