1M位MRAM存储器能消除电子设备中共同问题，如计算机和手机的上电慢，数据遗失，装载数据长时间等待，电池寿命短等。

MRAM设计成允许所有的程序和数据保持在局部的存储器，即使在电源关断时。它也能期望消除手机开机时的延时。

存储器芯片技术能把多种存储器集成在单一芯片中。不需要多种类型存储器导致更小型的产品，更多的功能。

产品分类线性稳压器及LDO

电源管理

安装类型表面贴装(SMT) 工作温度-40°C~85°C（TA） 封装/外壳SOT-23-5细型，TSOT-23-5 产品分类线性稳压器及LDO

电源管理

安装类型表面贴装(SMT) 工作温度-40°C~85°C（TA） 封装/外壳SOT-23-5细型，TSOT-23-5

单轴ADXL1002 MEMS加速度计组成，其模拟电压输出由AD5749电压至电流转换器转换为4 mA至20 mA信号标准。

AD5749输入(VIN)摆幅为0 V至4.096 V，而ADXL1002模拟输出电压(VOUT)摆幅为0 V至VDD，故VDD必须设置为4.096 V。

因此，选择LT6654AMPS6-4.096来提供4.096 V电压，其在-55°C至125°C的温度范围内的温度稳定性为10 ppm/°C。