可见红外高感光度高速硅PIN光电二极管VEMD8081
发布时间:2021/3/14 14:13:31 访问次数:1310
PTC浪涌电流抑制器不仅广泛用于工业和家用电子产品的转换器和电源，在电动汽车领域也很常见，比如车载充电电路、混合动力和纯电动汽车驱动器的直流链路电容器的充放电。
器件开关速度快，容值低至50 pF，适用于高采样率。
新型变送器还能够输出其他参数，包括露点温度、湿球温度、绝对湿度、混合比、含水量、水质量分数、水汽压和焓值。
整个变送器可以直接安装在级别高达 0 区和 20 区的易爆区域。
制造商:Murata 产品种类:铁氧体磁珠 RoHS: 详细信息 系列:BLM15_SN 产品:Ferrite Chip Beads 端接类型:SMD/SMT 封装 / 箱体:0402 (1005 metric) 阻抗:120 Ohms 最大直流电流:1.3 A 容差:25 % 最大直流电阻:90 mOhms 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 125 C 长度:1 mm 宽度:0.5 mm 高度:0.5 mm 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 电容:- 类型:Chip Ferrite Bead Single Type 商标:Murata Electronics 产品类型:Ferrite Beads 工厂包装数量:10000 子类别:Ferrites 终端:- 测试频率:100 MHz 单位重量:1 mg
新款可见红外高感光度高速硅PIN光电二极管---VEMD8081，扩充光电二极管产品组合。
Vishay Semiconductors VEMD8081采用矩形4.8mm x 2.5mm顶视表面贴封装，厚度薄至业内领先的0.48mm，典型反向光电流为33 μA，提高可穿戴设备和医疗应用生物传感器性能。
VEMD8081在相同封装尺寸条件下，反向光电流比其前身VEMD8080大15 %，为设计人员提供直接替代器件，增加信号输出提高性能，或减小LED电流延长电池寿命。
VEMD8081半感光角为± 65°，工作温度40 °C至+85 °C，峰值灵敏度波长为840 nm。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
PTC浪涌电流抑制器不仅广泛用于工业和家用电子产品的转换器和电源，在电动汽车领域也很常见，比如车载充电电路、混合动力和纯电动汽车驱动器的直流链路电容器的充放电。
器件开关速度快，容值低至50 pF，适用于高采样率。
新型变送器还能够输出其他参数，包括露点温度、湿球温度、绝对湿度、混合比、含水量、水质量分数、水汽压和焓值。
整个变送器可以直接安装在级别高达 0 区和 20 区的易爆区域。
制造商:Murata 产品种类:铁氧体磁珠 RoHS: 详细信息 系列:BLM15_SN 产品:Ferrite Chip Beads 端接类型:SMD/SMT 封装 / 箱体:0402 (1005 metric) 阻抗:120 Ohms 最大直流电流:1.3 A 容差:25 % 最大直流电阻:90 mOhms 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 125 C 长度:1 mm 宽度:0.5 mm 高度:0.5 mm 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 电容:- 类型:Chip Ferrite Bead Single Type 商标:Murata Electronics 产品类型:Ferrite Beads 工厂包装数量:10000 子类别:Ferrites 终端:- 测试频率:100 MHz 单位重量:1 mg
新款可见红外高感光度高速硅PIN光电二极管---VEMD8081，扩充光电二极管产品组合。
Vishay Semiconductors VEMD8081采用矩形4.8mm x 2.5mm顶视表面贴封装，厚度薄至业内领先的0.48mm，典型反向光电流为33 μA，提高可穿戴设备和医疗应用生物传感器性能。
VEMD8081在相同封装尺寸条件下，反向光电流比其前身VEMD8080大15 %，为设计人员提供直接替代器件，增加信号输出提高性能，或减小LED电流延长电池寿命。
VEMD8081半感光角为± 65°，工作温度40 °C至+85 °C，峰值灵敏度波长为840 nm。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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