高边MOSFET的源极与低边MOSFET的漏极之间即插即用式解决方案
发布时间:2021/3/14 12:31:50 访问次数:383
A17700采用24引脚4 mm×4 mm QFN小型封装,带有可粘锡侧翼,非常适合于高可靠焊接和外观检查焊点等需求。
A17700快速响应时间可以加快输出采样速率,从而使系统能够滤除不希望的膜振荡信号.这种增强的振荡滤除能力可确保采用最适当的滤波方式,并为客户提供值得信赖的可靠性和性能。
这种封装形式使用灵活的引脚来提高整体可靠性,并且MOSFET之间采用内部铜夹连接,简化了PCB设计并带来了即插即用式解决方案,电流处理能力达到98A,表现非常出色。
制造商:Vishay 产品种类:MOSFET RoHS: 详细信息 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:30 V Id-连续漏极电流:40 A Rds On-漏源导通电阻:3 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:1 V Qg-栅极电荷:125 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:83 W 通道模式:Enhancement 商标名:TrenchFET 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 系列:SI7 商标:Vishay Semiconductors 产品类型:MOSFET 工厂包装数量:3000 子类别:MOSFETs 零件号别名:SI7880ADP-E3 单位重量:506.600 mg
在半桥结构中,高边MOSFET的源极与低边MOSFET的漏极之间的PCB连接会产生大量的寄生电感。但是,通过内部夹式连接,LFPAK56D半桥封装成功减少了60%的寄生电感。
新推出的LFPAK56D半桥MOSFET是BUK7V4R2-40H和BUK9V13-40H。
这两款产品都采用高度耐用的Trench 9汽车级晶圆工艺技术,额定电压为40 V,并在关键测试中通过了两倍汽车AEC-Q101规范的验证。
这两款器件的RDS(on)分别为4.2 mOhm (BUK7V4R2)和13 mOhm (BUK9V13)。
A17700采用24引脚4 mm×4 mm QFN小型封装,带有可粘锡侧翼,非常适合于高可靠焊接和外观检查焊点等需求。
A17700快速响应时间可以加快输出采样速率,从而使系统能够滤除不希望的膜振荡信号.这种增强的振荡滤除能力可确保采用最适当的滤波方式,并为客户提供值得信赖的可靠性和性能。
这种封装形式使用灵活的引脚来提高整体可靠性,并且MOSFET之间采用内部铜夹连接,简化了PCB设计并带来了即插即用式解决方案,电流处理能力达到98A,表现非常出色。
制造商:Vishay 产品种类:MOSFET RoHS: 详细信息 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:30 V Id-连续漏极电流:40 A Rds On-漏源导通电阻:3 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:1 V Qg-栅极电荷:125 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:83 W 通道模式:Enhancement 商标名:TrenchFET 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 系列:SI7 商标:Vishay Semiconductors 产品类型:MOSFET 工厂包装数量:3000 子类别:MOSFETs 零件号别名:SI7880ADP-E3 单位重量:506.600 mg
在半桥结构中,高边MOSFET的源极与低边MOSFET的漏极之间的PCB连接会产生大量的寄生电感。但是,通过内部夹式连接,LFPAK56D半桥封装成功减少了60%的寄生电感。
新推出的LFPAK56D半桥MOSFET是BUK7V4R2-40H和BUK9V13-40H。
这两款产品都采用高度耐用的Trench 9汽车级晶圆工艺技术,额定电压为40 V,并在关键测试中通过了两倍汽车AEC-Q101规范的验证。
这两款器件的RDS(on)分别为4.2 mOhm (BUK7V4R2)和13 mOhm (BUK9V13)。