6kV厚氧化电流隔离技术在隔离域之间传输数据
发布时间:2021/3/12 21:31:14 访问次数:532
PM9A3 U.2的4K稳态随机读取性能为1100K IOPS，顺序读取速度为6900MB/s，相对上一代产品PM983 U.2分别提升2.2倍和2.16倍；并且，在每瓦304MB/s的顺序写入性能表现中，与前代产品相比，能效比提高了61％。
PM9A3 U.2是三星首个采用第六代3D闪存（V-NAND）技术并支持 PCIe4.0的NVMe固态硬盘产品，符合中国数据中心客户运营所需的特定性能和功耗配置，我们期待着它成为中国数据中心客户的极佳解决方案。
散热器格栅百叶窗
智能阀门和智能泵
LIN 总线连接执行器
主要特点和效益
电源电压范围从 8 V 到 18 V（支持 4.5 到 40 V 瞬变）
6 个 500 mA（最大）半桥驱动器
32-位 Arm® Cortex®-M3 CPU 内核
20 MHz 系统振荡器，35 kHz 看门狗振荡器
该固件还实现了一个虚拟通信端口，用于访问内部参数，读取计量数据，修改内部配置和校准电路板。
STISO621双通道数字隔离器,一个新系列隔离IC的首款产品，采用意法半导体的6kV厚氧化电流隔离技术在隔离域之间传输数据，适合各种工业应用。
STISO621具有两个独立的通道，带有施密特触发器输入，确保高抗扰度并将脉冲失真保持在3ns以下。
(素材来源：eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
PM9A3 U.2的4K稳态随机读取性能为1100K IOPS，顺序读取速度为6900MB/s，相对上一代产品PM983 U.2分别提升2.2倍和2.16倍；并且，在每瓦304MB/s的顺序写入性能表现中，与前代产品相比，能效比提高了61％。
PM9A3 U.2是三星首个采用第六代3D闪存（V-NAND）技术并支持 PCIe4.0的NVMe固态硬盘产品，符合中国数据中心客户运营所需的特定性能和功耗配置，我们期待着它成为中国数据中心客户的极佳解决方案。
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电源电压范围从 8 V 到 18 V（支持 4.5 到 40 V 瞬变）
6 个 500 mA（最大）半桥驱动器
32-位 Arm® Cortex®-M3 CPU 内核
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该固件还实现了一个虚拟通信端口，用于访问内部参数，读取计量数据，修改内部配置和校准电路板。
STISO621双通道数字隔离器,一个新系列隔离IC的首款产品，采用意法半导体的6kV厚氧化电流隔离技术在隔离域之间传输数据，适合各种工业应用。
STISO621具有两个独立的通道，带有施密特触发器输入，确保高抗扰度并将脉冲失真保持在3ns以下。
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