单片1×12 SiPM像素阵列的18.5%的光子探测效率
发布时间:2021/3/12 12:16:34 访问次数:364
ArrayRDM-0112A20-QFN是单片1×12 SiPM像素阵列,基于安森美半导体领先市场的RDM工艺,可实现对近红外 (NIR)光的高灵敏度,从而在905纳米(nm)处达到领先业界的18.5%的光子探测效率 (PDE)(1)。
SiPM技术近年来发展势头强劲,由于其独特的功能集,已成为广阔市场深度传感应用的首选传感器。
SiPM能在明亮的阳光条件下进行长距离测距时提供最佳的信噪比性能。
制造商: Silicon Microstructures
产品种类: 板机接口压力传感器
RoHS: 详细信息
压力类型: Gauge
工作压力: 0.07 psi to 0.29 psi
准确性: +/- 1 %
输出类型: Digital, Analog
安装风格: SMD/SMT
接口类型: I2C
工作电源电压: 3.3 V, 5 V
端口类型: Vertical
分辨率: 16 bit
封装 / 箱体: SOIC-16
最小工作温度: - 20 C
最大工作温度: + 85 C
系列: SM7291
封装: Tube
商标: Silicon Microstructures, Inc.
湿度敏感性: Yes
工作电源电流: 4.5 mA
产品类型: Pressure Sensors
工厂包装数量: 45
子类别: Sensors
电源电压-最大: 5.25 V
电源电压-最小: 3 V

在主PC的中央处理单元(CPU)上对数据进行后处理,或通过点对点传输到图形处理单元(GPU)。这种体系结构提供了极大的灵活性,允许设计者在委派的任务中,使用最合适的处理资源类型。
专用DSP的示例包括用于SS-OCT的快速傅立叶变换(FFT)和k空间重映射,以及用于ToF MS的波形平均和零抑制。
硬件触发、内部/外部时钟选择和通用输入/输出(GPIO)简化了系统级集成。
ArrayRDM-0112A20-QFN是单片1×12 SiPM像素阵列,基于安森美半导体领先市场的RDM工艺,可实现对近红外 (NIR)光的高灵敏度,从而在905纳米(nm)处达到领先业界的18.5%的光子探测效率 (PDE)(1)。
SiPM技术近年来发展势头强劲,由于其独特的功能集,已成为广阔市场深度传感应用的首选传感器。
SiPM能在明亮的阳光条件下进行长距离测距时提供最佳的信噪比性能。
制造商: Silicon Microstructures
产品种类: 板机接口压力传感器
RoHS: 详细信息
压力类型: Gauge
工作压力: 0.07 psi to 0.29 psi
准确性: +/- 1 %
输出类型: Digital, Analog
安装风格: SMD/SMT
接口类型: I2C
工作电源电压: 3.3 V, 5 V
端口类型: Vertical
分辨率: 16 bit
封装 / 箱体: SOIC-16
最小工作温度: - 20 C
最大工作温度: + 85 C
系列: SM7291
封装: Tube
商标: Silicon Microstructures, Inc.
湿度敏感性: Yes
工作电源电流: 4.5 mA
产品类型: Pressure Sensors
工厂包装数量: 45
子类别: Sensors
电源电压-最大: 5.25 V
电源电压-最小: 3 V

在主PC的中央处理单元(CPU)上对数据进行后处理,或通过点对点传输到图形处理单元(GPU)。这种体系结构提供了极大的灵活性,允许设计者在委派的任务中,使用最合适的处理资源类型。
专用DSP的示例包括用于SS-OCT的快速傅立叶变换(FFT)和k空间重映射,以及用于ToF MS的波形平均和零抑制。
硬件触发、内部/外部时钟选择和通用输入/输出(GPIO)简化了系统级集成。