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STDRIVE 600V栅极驱动芯片和GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)

发布时间:2021/3/8 19:03:56 访问次数:324

ST独有的MasterGaN产品平台是基于我们的经过市场检验的专业知识和设计能力,整合高压智能功率BCD工艺与GaN技术而成,能够加快节省空间、高能效的环境友好型产品的开发。

MasterGaN1是意法半导体新产品平台的首款产品,集成两个半桥配置的GaN功率晶体管和高低边驱动芯片。MasterGaN1现已量产,采用9mm x 9mm GQFN封装,厚度只有1mm。

意法半导体还提供一个产品评估板,帮助客户快速启动电源产品项目。MasterGaN平台借用意法半导体的STDRIVE 600V栅极驱动芯片和GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)。

在散热解决方案的选择选择上会考虑高散热效能、低噪音和结构紧凑的散热片。

研华整合了4种散热技术,为嵌入式市场带来理想的散热解决方案——双鳍片全方位对流散热器(Quadro Flow Cooling System),简称QFCS。

散热设计面临的挑战

CUP温度过高

噪声过大

PCB板弯和CPU压坏风险

组装过程复杂& 额外安装工具成本

机构空间有限

R52系列满足AEC-Q200汽车标准,可用于电动和混动汽车车载电池充电器系统中DC/DC转换器的设计。其独特的设计功能非常适合工业和消费类应用,例如用于VFD(变频驱动器)和LED(发光二极管)驱动器的EMI滤波。

该系列还可支持能量密度较高的应用,例如紧凑型电容式电源。

R52电容器的设计满足智能电网硬件所要求的高可靠性标准——这类硬件通常位于难以接触的地方,因此无法提供常规服务。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

ST独有的MasterGaN产品平台是基于我们的经过市场检验的专业知识和设计能力,整合高压智能功率BCD工艺与GaN技术而成,能够加快节省空间、高能效的环境友好型产品的开发。

MasterGaN1是意法半导体新产品平台的首款产品,集成两个半桥配置的GaN功率晶体管和高低边驱动芯片。MasterGaN1现已量产,采用9mm x 9mm GQFN封装,厚度只有1mm。

意法半导体还提供一个产品评估板,帮助客户快速启动电源产品项目。MasterGaN平台借用意法半导体的STDRIVE 600V栅极驱动芯片和GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)。

在散热解决方案的选择选择上会考虑高散热效能、低噪音和结构紧凑的散热片。

研华整合了4种散热技术,为嵌入式市场带来理想的散热解决方案——双鳍片全方位对流散热器(Quadro Flow Cooling System),简称QFCS。

散热设计面临的挑战

CUP温度过高

噪声过大

PCB板弯和CPU压坏风险

组装过程复杂& 额外安装工具成本

机构空间有限

R52系列满足AEC-Q200汽车标准,可用于电动和混动汽车车载电池充电器系统中DC/DC转换器的设计。其独特的设计功能非常适合工业和消费类应用,例如用于VFD(变频驱动器)和LED(发光二极管)驱动器的EMI滤波。

该系列还可支持能量密度较高的应用,例如紧凑型电容式电源。

R52电容器的设计满足智能电网硬件所要求的高可靠性标准——这类硬件通常位于难以接触的地方,因此无法提供常规服务。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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