增强型硅上GaN功率晶体管的结壳(junction-to-case)热阻
发布时间:2021/3/6 13:08:22 访问次数:1250
高分辨率CMOS图像传感器SC910GS与SC410GS均搭载最新的第二代SmartGS®技术，采用并行电压域读取结构，大幅提升了最大快门速度，完善对高速运动物体的清晰抓拍，特别适用于ITS系统下对车牌及人脸的快速获取和识别.
同时采用大Pixel的BSI工艺设计，使暗光下的感光度实现30%的提升，噪声降低40%，暗电流降低97.6%。即使不使用爆闪灯也能清晰展现影像细节，减少“卡口爆闪灯”等交通光的污染。
耐用型GaN功率HEMT（高电子迁移率晶体管）。
制造商:Intel 产品种类:开关稳压器 RoHS: 详细信息 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-24 输出电压:600 mV 输出电流:1.5 A 输出端数量:4 Output 最大输入电压:5.5 V 拓扑结构:Buck 最小输入电压:2.4 V 开关频率:3.2 MHz 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 系列:EN53xx 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 类型:Synchronous Buck DC-DC Converter 商标:Intel / Altera 湿度敏感性:Yes 产品类型:Switching Voltage Regulators 工厂包装数量:500 子类别:PMIC - Power Management ICs 电源电压-最小:2.4 V 商标名:Enpirion 零件号别名:966241 单位重量:93 mg
TDG650E15B和TDG650E30B均为增强型硅上GaN功率晶体管，可实现大电流、高压击穿和高开关频率，同时为大功率应用提供非常低的结壳(junction-to-case)热阻。
氮化镓器件已经革新了其他行业的功率转换元件，现在以耐辐射的塑料封装推出，这种封装经过严格的可靠性和电气测试以确保关键任务的成功。
新型GaN HEMT的发布为客户提供了关键航空航天和国防电力应用所需的效率、尺寸和功率密度优势。
对于所有产品线，Teledyne e2v HiRel都会针对最高可靠性应用执行最严苛的认证和测试。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
高分辨率CMOS图像传感器SC910GS与SC410GS均搭载最新的第二代SmartGS®技术，采用并行电压域读取结构，大幅提升了最大快门速度，完善对高速运动物体的清晰抓拍，特别适用于ITS系统下对车牌及人脸的快速获取和识别.
同时采用大Pixel的BSI工艺设计，使暗光下的感光度实现30%的提升，噪声降低40%，暗电流降低97.6%。即使不使用爆闪灯也能清晰展现影像细节，减少“卡口爆闪灯”等交通光的污染。
耐用型GaN功率HEMT（高电子迁移率晶体管）。
制造商:Intel 产品种类:开关稳压器 RoHS: 详细信息 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-24 输出电压:600 mV 输出电流:1.5 A 输出端数量:4 Output 最大输入电压:5.5 V 拓扑结构:Buck 最小输入电压:2.4 V 开关频率:3.2 MHz 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 系列:EN53xx 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 类型:Synchronous Buck DC-DC Converter 商标:Intel / Altera 湿度敏感性:Yes 产品类型:Switching Voltage Regulators 工厂包装数量:500 子类别:PMIC - Power Management ICs 电源电压-最小:2.4 V 商标名:Enpirion 零件号别名:966241 单位重量:93 mg
TDG650E15B和TDG650E30B均为增强型硅上GaN功率晶体管，可实现大电流、高压击穿和高开关频率，同时为大功率应用提供非常低的结壳(junction-to-case)热阻。
氮化镓器件已经革新了其他行业的功率转换元件，现在以耐辐射的塑料封装推出，这种封装经过严格的可靠性和电气测试以确保关键任务的成功。
新型GaN HEMT的发布为客户提供了关键航空航天和国防电力应用所需的效率、尺寸和功率密度优势。
对于所有产品线，Teledyne e2v HiRel都会针对最高可靠性应用执行最严苛的认证和测试。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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