800V H系列可控硅，其在最大额定输出电流时最高结温达到150°C，因此可以将交流负载驱动器的散热器尺寸缩减多达50％，开发紧凑尺寸与高可靠性兼备的交流驱动器。

新的800V H系列可控硅适用于工业制造设备、个人护理产品、智能家居产品和智能建筑系统，利用意法半导体最新的Snubberless™高温技术实现了出色的耐用性。

低导通电压(VTM)确保开关具有较高的工作能效，并最大程度地降低器件本身的自发热量，具有很低的漏电流，并能够长时间保持低漏电流，从而降低了待机电能损耗。

制造商:Intel 产品种类:FPGA - 现场可编程门阵列 RoHS: 详细信息 产品:Cyclone IV E 逻辑元件数量:114480 逻辑数组块数量——LAB:7155 输入/输出端数量:280 I/O 工作电源电压:1 V to 1.2 V 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-484 封装:Tray 系列:EP4CE115 Cyclone IV E 商标:Intel / Altera 自适应逻辑模块 - ALM:- 嵌入式内存:3888 kbit 最大工作频率:200 MHz 湿度敏感性:Yes 产品类型:FPGA - Field Programmable Gate Array 工厂包装数量:60 子类别:Programmable Logic ICs 总内存:3888 kbit 商标名:Cyclone IV 零件号别名:974405 单位重量:14.303 g

650V半桥评估板（30 A和60A），用于评估氮化镓（GaN）驱动器和GaN晶体管在各种应用中的性能。子板是业界首款可提供具有可调阈值和可编程源电流,带有过流保护功能,以实现可调节的导通压摆率。

子板具有两种功率级别：最高3 kW（GS-EVB-HB-66508B-RN）和最高6 kW（GS-EVB-HB-66516T-RN），并包含瑞萨电子RAA226110低侧GaN FET驱动器具有可编程的源电流和可调的过流保护。

RAA226110旨在驱动隔离和非隔离拓扑中的增强模式GaN FET，提供6.5V至18 V的宽电源电压范围。该器件同时提供反相（INB）和同相（IN）输入，可满足使用单个器件进行反相和同相栅极驱动的要求。