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美国最新纳米技术提高存储密度500倍口袋图书馆将成现实

发布时间:2007/9/1 0:00:00 访问次数:309

     美国国家科学基金会先进材料和智能结构(CAMSS)中心研制成功的7纳米磁性镍纳米点(nanodot),瞄准存储密度500倍的提高,达到每平方英寸10万亿位。

    在这种密度下,硬币大小的芯片能达到5兆兆位,能把美国国会的整个图书馆都装在“一个口袋里。”北卡罗莱纳州大学材料科技和工程教授兼CAMSS主任Jagdish Narayan表示。

    该技术采用了脉冲调制的激光切割来制成纳米点阵,据称比以往可能的结构小10倍,也可用于制造更有效的LED、单电子晶体管、旋转晶体管、混合器件、超硬涂敷和新型生物材料。

    据研究人员称,许多工艺将得益于该技术增强的控制和精度。为了将该方法应用于高效LED制造,研究人员正在利用相似的步骤在自组装光发射铟化氮化镓纳米点阵中进行试验,组成氧化锌和氮化镓原子矩阵。

     美国国家科学基金会先进材料和智能结构(CAMSS)中心研制成功的7纳米磁性镍纳米点(nanodot),瞄准存储密度500倍的提高,达到每平方英寸10万亿位。

    在这种密度下,硬币大小的芯片能达到5兆兆位,能把美国国会的整个图书馆都装在“一个口袋里。”北卡罗莱纳州大学材料科技和工程教授兼CAMSS主任Jagdish Narayan表示。

    该技术采用了脉冲调制的激光切割来制成纳米点阵,据称比以往可能的结构小10倍,也可用于制造更有效的LED、单电子晶体管、旋转晶体管、混合器件、超硬涂敷和新型生物材料。

    据研究人员称,许多工艺将得益于该技术增强的控制和精度。为了将该方法应用于高效LED制造,研究人员正在利用相似的步骤在自组装光发射铟化氮化镓纳米点阵中进行试验,组成氧化锌和氮化镓原子矩阵。

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