位置:51电子网 » 技术资料 » 集成电路

146 CTI电容器的回流焊曲线IRF840场效应管

发布时间:2021/2/20 16:23:05 访问次数:2044

新款146 CTI电容器具有最苛刻的回流焊曲线,提供从10mmx10mmx10mm至更大的18mmx18mmx21mm的8种外形尺寸。

器件的高温性能达+125℃,在100kHz和+20℃条件下的阻抗为0.035Ω~0.430Ω,在100kHz和+125℃条件下的纹波电流为400mA~1750mA,在+125℃下的使用寿命长达6000小时。

器件是极化的铝电解电容器,采用非固态、自愈的电解液,通过AEC-Q200认证,非常适用于滤波、平滑、缓冲和电压解耦应用。

标准包装 3,500包装 标准卷带零件状态有源类别产品族系列-其它名称*LMC6482IMMX/NOPB

LMC6482IMMX/NOPBTR

LMC6482IMMXNOPB

规格放大器类型通用电路数2输出类型满摆幅压摆率0.9V/μs增益带宽积1.5MHz电流 - 输入偏置.02pA电压 - 输入失调3.7mV电流 - 电源1.3mA电压 - 电源,单/双(±)3V ~ 15.5V,±1.5V ~ 7.75V工作温度-40°C ~ 85°C安装类型表面贴装型封装/外壳8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)供应商器件封装8-VSSOP

N沟道增强型高压功率场效应管,FHP840场效应管除了电压输出稳定、简化电路设计等方面可替代9N50场效应管,还可替代TK8A50D场效应管和IRF840场效应管使用。

FHP840 高压MOS管的封装形式主要为TO-220/O-220F,脚位排列方式为GDS,Vgs(±V)30,VTH(V)2-4,ID(A)9,BVdss(V)500,Rds(on)[mΩ](max)0.8,且这个FHP840最大的优势就是可做到低电荷、低反向传输电容开关速度快,大芯片,耐过载冲击。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

新款146 CTI电容器具有最苛刻的回流焊曲线,提供从10mmx10mmx10mm至更大的18mmx18mmx21mm的8种外形尺寸。

器件的高温性能达+125℃,在100kHz和+20℃条件下的阻抗为0.035Ω~0.430Ω,在100kHz和+125℃条件下的纹波电流为400mA~1750mA,在+125℃下的使用寿命长达6000小时。

器件是极化的铝电解电容器,采用非固态、自愈的电解液,通过AEC-Q200认证,非常适用于滤波、平滑、缓冲和电压解耦应用。

标准包装 3,500包装 标准卷带零件状态有源类别产品族系列-其它名称*LMC6482IMMX/NOPB

LMC6482IMMX/NOPBTR

LMC6482IMMXNOPB

规格放大器类型通用电路数2输出类型满摆幅压摆率0.9V/μs增益带宽积1.5MHz电流 - 输入偏置.02pA电压 - 输入失调3.7mV电流 - 电源1.3mA电压 - 电源,单/双(±)3V ~ 15.5V,±1.5V ~ 7.75V工作温度-40°C ~ 85°C安装类型表面贴装型封装/外壳8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)供应商器件封装8-VSSOP

N沟道增强型高压功率场效应管,FHP840场效应管除了电压输出稳定、简化电路设计等方面可替代9N50场效应管,还可替代TK8A50D场效应管和IRF840场效应管使用。

FHP840 高压MOS管的封装形式主要为TO-220/O-220F,脚位排列方式为GDS,Vgs(±V)30,VTH(V)2-4,ID(A)9,BVdss(V)500,Rds(on)[mΩ](max)0.8,且这个FHP840最大的优势就是可做到低电荷、低反向传输电容开关速度快,大芯片,耐过载冲击。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

热门点击

 

推荐技术资料

DS2202型示波器试用
    说起数字示波器,普源算是国内的老牌子了,FQP8N60... [详细]
版权所有:51dzw.COM
深圳服务热线:13692101218  13751165337
粤ICP备09112631号-6(miitbeian.gov.cn)
公网安备44030402000607
深圳市碧威特网络技术有限公司
付款方式