取样电路取出输出电压UO的一部分和基准电压VREF比较
发布时间:2021/2/13 18:36:38 访问次数:3178
C1应直接在Vin脚与GND的两端，引线尽量短。输出电容C2与输出电流有关，其最小值为10μF/100mA。
扩流电路的选用，一种外接复合管进行扩流的电路，此电路输出电流可达4A，但输入输出之间的压差仅为0.8V。
比较放大可以是单管放大电路、差动放大电路、集成运算放大器。调整元件可以是单个功率管，复合管或用几个功率管并联。
制造商:Micron Technology 产品种类:动态随机存取存储器 RoHS: 详细信息 类型:SDRAM - DDR4 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-96 数据总线宽度:16 bit 组织:512 M x 16 存储容量:8 Gbit 最大时钟频率:1333 MHz 电源电压-最大:1.26 V 电源电压-最小:1.14 V 电源电流—最大值:100 mA 最小工作温度:0 C 最大工作温度:+ 95 C 系列:MT40A 封装:Tray 商标:Micron 湿度敏感性:Yes 产品类型:DRAM 工厂包装数量:1080 子类别:Memory & Data Storage 单位重量:4.186 g
电路由VT1~VT4构成基本稳压电路。另外，增设晶体管VT2和稳压管VDw2,使误差放大晶体管VT3的集电极电压稳定，减少输入电压变动的影响。
VT2的基极电压等于输出电压加上稳压管VDw2的稳定电压Vz,即使集电极电压变动，不会影响VT3的发射极。但直流输入电压一定要高于Vz,效率降低。
取样电路取出输出电压UO的一部分和基准电压VREF比较。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
C1应直接在Vin脚与GND的两端，引线尽量短。输出电容C2与输出电流有关，其最小值为10μF/100mA。
扩流电路的选用，一种外接复合管进行扩流的电路，此电路输出电流可达4A，但输入输出之间的压差仅为0.8V。
比较放大可以是单管放大电路、差动放大电路、集成运算放大器。调整元件可以是单个功率管，复合管或用几个功率管并联。
制造商:Micron Technology 产品种类:动态随机存取存储器 RoHS: 详细信息 类型:SDRAM - DDR4 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-96 数据总线宽度:16 bit 组织:512 M x 16 存储容量:8 Gbit 最大时钟频率:1333 MHz 电源电压-最大:1.26 V 电源电压-最小:1.14 V 电源电流—最大值:100 mA 最小工作温度:0 C 最大工作温度:+ 95 C 系列:MT40A 封装:Tray 商标:Micron 湿度敏感性:Yes 产品类型:DRAM 工厂包装数量:1080 子类别:Memory & Data Storage 单位重量:4.186 g
电路由VT1~VT4构成基本稳压电路。另外，增设晶体管VT2和稳压管VDw2,使误差放大晶体管VT3的集电极电压稳定，减少输入电压变动的影响。
VT2的基极电压等于输出电压加上稳压管VDw2的稳定电压Vz,即使集电极电压变动，不会影响VT3的发射极。但直流输入电压一定要高于Vz,效率降低。
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