等效串联电阻低的C1时选用0.33μF的电容
发布时间:2021/2/13 18:26:29 访问次数:3060
芯片内部有一电压比较器监控在电阻Rb上的电压。在BASE与BLIM之间短接时，由于内部有5Ω的电阻（与Rb串联），使最大的偏置电流为20mA。
在实际使用时，可根据电流的最大输出负载电流ILmax及PNP晶体管的hfemin来选用Rb，则Rb=500×hfemin/ILmax-5Ω.
输入电容C1及输出电容C2的选用，C1接在Vin脚与GND之间，采用4.7μF时可适合多种负载，若采用等效串联电阻低的C1时，也可以选用0.33μF的电容。
制造商:Micron Technology 产品种类:动态随机存取存储器 RoHS: 详细信息 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-96 系列:MT41K 封装:Tray 商标:Micron 湿度敏感性:Yes 产品类型:DRAM 工厂包装数量:1224 子类别:Memory & Data Storage 单位重量:3.337 g
当输入230~250V时，K1、K2均闭合，自耦变压器T作降压输出。四种工作状态使输出电压基本保持在210~230V。
驱动继电器采用集成电路TL431.它由2.5V基准、运放和驱动馆组成，与分立元件组成的放大器相比，动作没有回差，供电不必设稳压，TL431导通时有2~2.5V的压降，供电电压要略高一些。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
芯片内部有一电压比较器监控在电阻Rb上的电压。在BASE与BLIM之间短接时，由于内部有5Ω的电阻（与Rb串联），使最大的偏置电流为20mA。
在实际使用时，可根据电流的最大输出负载电流ILmax及PNP晶体管的hfemin来选用Rb，则Rb=500×hfemin/ILmax-5Ω.
输入电容C1及输出电容C2的选用，C1接在Vin脚与GND之间，采用4.7μF时可适合多种负载，若采用等效串联电阻低的C1时，也可以选用0.33μF的电容。
制造商:Micron Technology 产品种类:动态随机存取存储器 RoHS: 详细信息 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-96 系列:MT41K 封装:Tray 商标:Micron 湿度敏感性:Yes 产品类型:DRAM 工厂包装数量:1224 子类别:Memory & Data Storage 单位重量:3.337 g
当输入230~250V时，K1、K2均闭合，自耦变压器T作降压输出。四种工作状态使输出电压基本保持在210~230V。
驱动继电器采用集成电路TL431.它由2.5V基准、运放和驱动馆组成，与分立元件组成的放大器相比，动作没有回差，供电不必设稳压，TL431导通时有2~2.5V的压降，供电电压要略高一些。
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