导通电阻类似的尖端SiC MOSFET的栅极稳健性
发布时间:2021/2/13 13:23:55 访问次数:422
Transphorm的SuperGaN™技术优于碳化硅,SuperGaN Gen V平台融合了其上一代Gen IV的所有经验、获专利的减小封装电感技术、易于设计性和可驱动性（4V的Vth，以实现抗扰性）和+/- 20 Vmax的栅极稳健性，以及简化缩小的装配结构。
TP65H015G5WS与采用标准TO-247-3封装、导通电阻类似的尖端SiC MOSFET进行了比较。
这两款器件在半桥同步升压转换器中均以70 kHz的频率运行，最高功率为12 kW，而得出的结果是Transphorm的GaN器件的功耗低25%。
制造商: Texas Instruments
产品种类: 运算放大器 - 运放
RoHS: 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSSOP-8
通道数量: 2 Channel
电源电压-最大: 6 V
GBP-增益带宽产品: 6.4 MHz
每个通道的输出电流: 80 mA
SR - 转换速率 : 1.6 V/us
Vos - 输入偏置电压 : 1.5 mV
电源电压-最小: 2.7 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
Ib - 输入偏流: 14 nA
工作电源电流: 550 uA
关闭: No Shutdown
CMRR - 共模抑制比: 71 dB to 85 dB
en - 输入电压噪声密度: 14 nV/sqrt Hz
系列: TLV2462A
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
放大器类型: Low Power Amplifier
高度: 1.15 mm
输入类型: Rail-to-Rail
长度: 3 mm
输出类型: Rail-to-Rail
产品: Operational Amplifiers
电源类型: Single, Dual
宽度: 4.4 mm
商标: Texas Instruments
双重电源电压: +/- 3 V
In—输入噪声电流密度: 0.13 pA/sqrt Hz
最大双重电源电压: +/- 3 V
最小双重电源电压: +/- 1.35 V
工作电源电压: 2.7 V to 6 V, +/- 1.35 V to +/- 3 V
产品类型: Op Amps - Operational Amplifiers
工厂包装数量: 2000
子类别: Amplifier ICs
Vcm - 共模电压: Negative Rail to Positive Rail
电压增益 dB: 109 dB
单位重量: 39 mg
3D闪存技术的发展，容量超过1 TB的闪存解决方案得到了越来越广泛的应用，对于数据可靠性的要求也变得越来越复杂。
闪存已经集成到了工业设备的边缘设备以及其他主要用于存储OS或设备应用程序的IIoT（工业物联网）设备中，对于可高可靠性的保护用户数据的存储设备的需求也不断增加。
GBDriver系列中包含的自动刷新和数据恢复特点之外，TDK自有的GBDriver GS2还具有新的ECC（LDPC）内存和强大的RAID特点，并且显著提高了数据的可靠性。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
Transphorm的SuperGaN™技术优于碳化硅,SuperGaN Gen V平台融合了其上一代Gen IV的所有经验、获专利的减小封装电感技术、易于设计性和可驱动性（4V的Vth，以实现抗扰性）和+/- 20 Vmax的栅极稳健性，以及简化缩小的装配结构。
TP65H015G5WS与采用标准TO-247-3封装、导通电阻类似的尖端SiC MOSFET进行了比较。
这两款器件在半桥同步升压转换器中均以70 kHz的频率运行，最高功率为12 kW，而得出的结果是Transphorm的GaN器件的功耗低25%。
制造商: Texas Instruments
产品种类: 运算放大器 - 运放
RoHS: 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSSOP-8
通道数量: 2 Channel
电源电压-最大: 6 V
GBP-增益带宽产品: 6.4 MHz
每个通道的输出电流: 80 mA
SR - 转换速率 : 1.6 V/us
Vos - 输入偏置电压 : 1.5 mV
电源电压-最小: 2.7 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
Ib - 输入偏流: 14 nA
工作电源电流: 550 uA
关闭: No Shutdown
CMRR - 共模抑制比: 71 dB to 85 dB
en - 输入电压噪声密度: 14 nV/sqrt Hz
系列: TLV2462A
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
放大器类型: Low Power Amplifier
高度: 1.15 mm
输入类型: Rail-to-Rail
长度: 3 mm
输出类型: Rail-to-Rail
产品: Operational Amplifiers
电源类型: Single, Dual
宽度: 4.4 mm
商标: Texas Instruments
双重电源电压: +/- 3 V
In—输入噪声电流密度: 0.13 pA/sqrt Hz
最大双重电源电压: +/- 3 V
最小双重电源电压: +/- 1.35 V
工作电源电压: 2.7 V to 6 V, +/- 1.35 V to +/- 3 V
产品类型: Op Amps - Operational Amplifiers
工厂包装数量: 2000
子类别: Amplifier ICs
Vcm - 共模电压: Negative Rail to Positive Rail
电压增益 dB: 109 dB
单位重量: 39 mg
3D闪存技术的发展，容量超过1 TB的闪存解决方案得到了越来越广泛的应用，对于数据可靠性的要求也变得越来越复杂。
闪存已经集成到了工业设备的边缘设备以及其他主要用于存储OS或设备应用程序的IIoT（工业物联网）设备中，对于可高可靠性的保护用户数据的存储设备的需求也不断增加。
GBDriver系列中包含的自动刷新和数据恢复特点之外，TDK自有的GBDriver GS2还具有新的ECC（LDPC）内存和强大的RAID特点，并且显著提高了数据的可靠性。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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