Transphorm的SuperGaN™技术优于碳化硅,SuperGaN Gen V平台融合了其上一代Gen IV的所有经验、获专利的减小封装电感技术、易于设计性和可驱动性（4V的Vth，以实现抗扰性）和+/- 20 Vmax的栅极稳健性，以及简化缩小的装配结构。

TP65H015G5WS与采用标准TO-247-3封装、导通电阻类似的尖端SiC MOSFET进行了比较。

这两款器件在半桥同步升压转换器中均以70 kHz的频率运行，最高功率为12 kW，而得出的结果是Transphorm的GaN器件的功耗低25%。

制造商: Texas Instruments

产品种类: 运算放大器 - 运放

RoHS: 详细信息

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TSSOP-8

通道数量: 2 Channel

电源电压-最大: 6 V

GBP-增益带宽产品: 6.4 MHz

每个通道的输出电流: 80 mA

SR - 转换速率 : 1.6 V/us

Vos - 输入偏置电压 : 1.5 mV

电源电压-最小: 2.7 V

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 125 C

Ib - 输入偏流: 14 nA

工作电源电流: 550 uA

关闭: No Shutdown

CMRR - 共模抑制比: 71 dB to 85 dB

en - 输入电压噪声密度: 14 nV/sqrt Hz

系列: TLV2462A

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

放大器类型: Low Power Amplifier

高度: 1.15 mm

输入类型: Rail-to-Rail

长度: 3 mm

输出类型: Rail-to-Rail

产品: Operational Amplifiers

电源类型: Single, Dual

宽度: 4.4 mm

商标: Texas Instruments

双重电源电压: +/- 3 V

In—输入噪声电流密度: 0.13 pA/sqrt Hz

最大双重电源电压: +/- 3 V

最小双重电源电压: +/- 1.35 V

工作电源电压: 2.7 V to 6 V, +/- 1.35 V to +/- 3 V

产品类型: Op Amps - Operational Amplifiers

工厂包装数量: 2000

子类别: Amplifier ICs

Vcm - 共模电压: Negative Rail to Positive Rail

电压增益 dB: 109 dB

单位重量: 39 mg

3D闪存技术的发展，容量超过1 TB的闪存解决方案得到了越来越广泛的应用，对于数据可靠性的要求也变得越来越复杂。

闪存已经集成到了工业设备的边缘设备以及其他主要用于存储OS或设备应用程序的IIoT（工业物联网）设备中，对于可高可靠性的保护用户数据的存储设备的需求也不断增加。

GBDriver系列中包含的自动刷新和数据恢复特点之外，TDK自有的GBDriver GS2还具有新的ECC（LDPC）内存和强大的RAID特点，并且显著提高了数据的可靠性。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）