8毫欧姆D3GaN功率开关管EV逆变器应用解决方案
发布时间:2021/2/12 13:49:22 访问次数:452
基于 D3GaN 技术的低导通电阻功率GaN 开关，用于 EV 市场
专为 EV逆变器应用设计的新解决方案
汽车高压应用氮化镓（GaN）器件的全球领导者，自豪地宣布其新的低导通电阻产品发布。
针对电动汽车逆变器应用，此款产品将有助于提高电机控制器效率，降低整机制造成本。新的8毫欧姆产品是支持客户和改进电源转换系统的持续努力中的又一步骤。
8毫欧姆 D3GaN 功率开关管.
产品种类:参考电压 RoHS: 详细信息 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 参考类型:Shunt Adjustable Precision References 输出电压:Adjustable 初始准确度:1 % 温度系数:100 PPM/C 串联VREF—输入电压—最大值:37 V 分流电流—最大值:100 mA 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 105 C 系列:TL431 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 描述/功能:Programmable Shunt Voltage 高度:1.25 mm 输入电压:2.52 V 长度:4.9 mm 产品:Voltage References 宽度:3.9 mm 商标:STMicroelectronics 分流电流—最小值:1 mA 拓扑结构:Shunt References 最大输出电压:36 V 工作电源电流:100 mA 产品类型:Voltage References 工厂包装数量:2500 子类别:PMIC - Power Management ICs 单位重量:540 mg
新产品的改进工作是和我们领先的客户密切合作完成的，为电动汽车的核心电气驱动系统带来有意义的改进，高功率牵引逆变器应用也可以此实现更高的功率密度。
低Rho SMD自恢复PPTC产品组合包括更广泛的额定值和尺寸范围。这为电子工程师提供了更大的设计灵活性，尤其是在为消费电子产品应用开发下一代电池保护和充电端口方面。
新产品的额定参数为 8毫欧姆、650伏特、200安培，与同类 IGBT 或 SiC 器件相比，在相同电流范围内可实现显著降低的开关损耗。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
基于 D3GaN 技术的低导通电阻功率GaN 开关，用于 EV 市场
专为 EV逆变器应用设计的新解决方案
汽车高压应用氮化镓（GaN）器件的全球领导者，自豪地宣布其新的低导通电阻产品发布。
针对电动汽车逆变器应用，此款产品将有助于提高电机控制器效率，降低整机制造成本。新的8毫欧姆产品是支持客户和改进电源转换系统的持续努力中的又一步骤。
8毫欧姆 D3GaN 功率开关管.
产品种类:参考电压 RoHS: 详细信息 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 参考类型:Shunt Adjustable Precision References 输出电压:Adjustable 初始准确度:1 % 温度系数:100 PPM/C 串联VREF—输入电压—最大值:37 V 分流电流—最大值:100 mA 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 105 C 系列:TL431 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 描述/功能:Programmable Shunt Voltage 高度:1.25 mm 输入电压:2.52 V 长度:4.9 mm 产品:Voltage References 宽度:3.9 mm 商标:STMicroelectronics 分流电流—最小值:1 mA 拓扑结构:Shunt References 最大输出电压:36 V 工作电源电流:100 mA 产品类型:Voltage References 工厂包装数量:2500 子类别:PMIC - Power Management ICs 单位重量:540 mg
新产品的改进工作是和我们领先的客户密切合作完成的，为电动汽车的核心电气驱动系统带来有意义的改进，高功率牵引逆变器应用也可以此实现更高的功率密度。
低Rho SMD自恢复PPTC产品组合包括更广泛的额定值和尺寸范围。这为电子工程师提供了更大的设计灵活性，尤其是在为消费电子产品应用开发下一代电池保护和充电端口方面。
新产品的额定参数为 8毫欧姆、650伏特、200安培，与同类 IGBT 或 SiC 器件相比，在相同电流范围内可实现显著降低的开关损耗。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
相关技术资料- 4-16BMR314高达97.4%峰值效率及针对冷壁冷却优化薄型封装设计
- 4-16LPDDR被直接安装在设备主板上导致其在维修或升级换代期间难以更换
- 4-16片上多电压域取代外部电平转换器降低系统成本减少设计复杂性
- 4-16将多通道功能集成到2U机箱中可节省高达75%的机架高度
- 4-16嵌入式反射计的信号发生器能够为被测设备提供高度精确的信号
- 4-16DFN封装的RET采用双重空间节省方案可加倍提高空间利用率
- 4-12在小型封装中内置发射元件和光扩散材料有助于实现更小更薄应用产品
- 4-12多个转换器集成增加输出功率或通过添加外部环形二极管支持冗余
- 4-12在光模块等空间紧缺应用中SiT9501提供更高性能和更小尺寸完美组合
- 4-12被动平衡使用电阻来泄放或消耗电压水平较高电池中多余能量
- 4-12通过消除通孔降低冷却设计成本减少整体系统成本和设计工作量
- 4-12室外5G基础设施受到高温振动和气流等极端环境影响降低吞吐量
公网安备44030402000607
