AEC-Q101认证的新重复雪崩专用FET (ASFET)产品组合，重点关注动力系统应用。

在汽车动力总成中的电磁阀和执行器控制领域，基于MOSFET的电源方案通常围绕着升压、续流二极管或主动钳位拓扑结构进行构建。

第四个选择是重复雪崩设计，利用MOSFET的重复雪崩能力来泄放在其关断期间来自感性负载电流的能量。这种设计与主动钳位方案的效率相当，能够消除对于二极管和其他器件的需求，从而最大程度地减少器件数量并降低电路复杂性。

制造商:STMicroelectronics 产品种类:整流器 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SMA Vr - 反向电压 :600 V If - 正向电流:2 A 类型:Fast Recovery Rectifiers 配置:Single Vf - 正向电压:1.3 V 最大浪涌电流:35 A Ir - 反向电流 :2 uA 恢复时间:85 ns 最大工作温度:+ 175 C 系列: 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 高度:2.03 mm 长度:4.6 mm 产品:Rectifiers 宽度:2.95 mm 商标:STMicroelectronics Pd-功率耗散:- 产品类型:Rectifiers 5000 子类别:Diodes & Rectifiers 单位重量:106 mg

新的MOSFET在175°C时完全符合AEC-Q101汽车标准，提供40 V和60 V选项，典型RDS(ON)额定值为12.5mΩ至55mΩ。

所有器件均采用公司节省空间的LFPAK56D（双通道Power-SO8）铜夹片封装技术。该封装坚固可靠，配备鸥翼引脚，实现出色的板级可靠性，并兼容自动光学检查(AOI)，提供出色的可制造性。

通常，希望实现重复雪崩拓扑的工程师不得不依赖基于陈旧平面半导体技术的器件。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）