在芯片表面形成凹槽并在其侧壁形成MOSFET栅极的结构

发布时间:2023/4/8 22:24:33 访问次数:353

栅极施加相对于源极为负的电压而导通的MOSFET。可用比低于输入电压低的电压驱动，因此电路结构较为简单。通过向栅极施加相对于源极为正的电压而导通的MOSFET。相比Pch MOSFET，漏源间的导通电阻更小，因此可减少常规损耗。

使MOSFET启动（ON）时漏极与源极之间的电阻值。该值越小，则运行时的损耗（电力损耗）越少。

沟槽（Trench）意为凹槽。是在芯片表面形成凹槽，并在其侧壁形成MOSFET栅极的结构。不存在平面型MOSFET在结构上存在的JFET电阻，比平面结构更容易实现微细化。

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(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）

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