“BR24H-5AC系列”通过降低对存储单元特性方面的制造差异，并充分发挥存储性能，采用先进的数据写入/读取电路技术，实现了以下四大特点，有助于提高电气系统效率。

支持I2C总线， 3.5ms超快写入速度，使电子设备出厂前的初始写入时间减少30%

作为支持I2C总线和125℃的EEPROM，BR24H-5AC系列”实现了3.5ms（毫秒）的高速写入。相比普通产品5ms的写入速度，写入时间可减少30%，因此有助于减少电子设备出厂前的EEPROM初始写入时间，并可以提高应急数据记录系统的可靠性。

制造商:Nexperia 产品种类:MOSFET RoHS: 详细信息 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:60 V Id-连续漏极电流:300 mA Rds On-漏源导通电阻:5 Ohms Vgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 V Vgs th-栅源极阈值电压:1 V 最小工作温度:- 65 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:830 mW 通道模式:Enhancement 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 高度:1 mm 长度:3 mm 产品:MOSFET Small Signal 晶体管类型:1 N-Channel Trench MOSFET 宽度:1.4 mm 商标:Nexperia 产品类型:MOSFET 工厂包装数量:3000 子类别:MOSFETs 零件号别名:934003470215 单位重量:25 mg

ROHM致力于开发独具特色且可靠性高的存储单元，并为客户提供高品质的产品，在车载、工业设备和消费电子产品各领域获得了高度好评。

采用ROHM自有的数据写入/读取电路技术、实现了3.5ms（毫秒）的高速写入、支持125℃工作的EEPROM。与普通产品5ms的写入速度相比，写入时间可以减少30％。

在电子设备的制造过程中，对10万台产品进行256Kbit的初始数据写入（512次写入处理）的情况下，工厂生产线占用时间可减少约1天。

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