采用 SOIC8 表面贴装器件，包含 Melexis 专利的集磁点 (IMC)，与简易的 U 形屏蔽罩搭配使用即可以非接触方式精确测量母线电流。

当安装在 PCB 上时，这款传感器芯片可置于母线上方并外加一层屏蔽罩，与传统的霍尔传感器相比更容易装配。

成熟的 IMC-Hall 技术与无磁芯解决方案的不同之处在于，它在机械方面更具宽容性，其测量并非基于磁场梯度，而磁场梯度是母线剧烈削窄的结果并产生明显热点。

制造商:Infineon 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TO-252-3 晶体管极性:P-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:55 V Id-连续漏极电流:11 A Rds On-漏源导通电阻:175 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:4 V Qg-栅极电荷:19 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:38 W 通道模式:Enhancement 商标名: 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 高度:2.3 mm 长度:6.5 mm 晶体管类型:1 P-Channel 宽度:6.22 mm 商标:Infineon / IR 产品类型:MOSFET 2000 子类别:MOSFETs 单位重量:4 g

IMC-Hall® 技术也具有无磁芯技术的许多优点，如采用表面贴装解决方案更适合打造小型组件（相比之下，通孔式封装则较为复杂，基于磁芯的解决方案往往需要特定的引线弯曲/成型工艺）。

MLX91216 XHF 扩充了 Melexis IMC-Hall 传感器芯片产品系列，可为各类汽车和工业应用提供精确、高速的电流测量。

MLX91216 XHF符合 AEC-Q100 0 级标准，适用于汽车应用，工作温度范围介于 -40°C 和 +150°C 之间。这款传感器芯片的测量范围宽达 ±25 mT 至 ±90 mT，线性度低至满量程的 ±0.2%，响应时间为 2 μs，热稳定性极高，零点漂移低于 5 mV，灵敏度漂移小于 1%。

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