漏源电压Vdss达到65V,耗散功率Pd=38.9W
发布时间:2021/2/8 0:08:46 访问次数:687
Stratix II系列FPGA EP2S15到EP2S180系列,等效逻辑元件从15600到179400.它采用突破性的结构,在核内有自适应FPGA结构,从而有超级效率和高密度.
Stratix II FPGA的逻辑密度比单一器件的大一倍,和第一代的Stratix器件相比,速度快了50%.
这种最新的高密度FPGA结构的效率比第一代的Stratix器件高25%,使设计者能把更多的功能集成在较小的逻辑面积.90nm制造技术和高效率结构能得到最大的集成度,和以前的高密度结构相比,极大地降低了成本.
Stratix II FPGA是业界最快的FPGA,内部时钟速率高达500MHz,典型的设计性能超过250MHz.
制造商:STMicroelectronics 产品种类:ARM微控制器 - MCU 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:UFQFPN-32 程序存储器大小:16 kB 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:48 MHz 数据 RAM 大小:8 kB 工作电源电压:2 V to 3.6 V 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tray 程序存储器类型:Flash 商标:STMicroelectronics 数据 Ram 类型:SRAM 湿度敏感性:Yes 处理器系列:ARM Cortex M 产品类型:ARM Microcontrollers - MCU 工厂包装数量2940 子类别:Microcontrollers - MCU 单位重量:1 g
AGRA10E的输出功率也大于10W,频率范围从100MHz到1.0GHz.该器件采用金层金属化,具有高度可靠性,高增益,高效率和线性度.
器件还集成了ESD保护,在输出功率10W时能经受10:1的电压驻波比.
AGRB10E很适合用在460-472MHz的北欧移动电话(NMT),IS-95别865-895MHz的个人蜂窝电话,921-960MHz的GSM/EDGE手机和从100MHz到1GHz的功率转换.漏源电压Vdss达到65V,耗散功率Pd=38.9W.
功率增益可高达24dB,效率高达65%以上.
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
Stratix II系列FPGA EP2S15到EP2S180系列,等效逻辑元件从15600到179400.它采用突破性的结构,在核内有自适应FPGA结构,从而有超级效率和高密度.
Stratix II FPGA的逻辑密度比单一器件的大一倍,和第一代的Stratix器件相比,速度快了50%.
这种最新的高密度FPGA结构的效率比第一代的Stratix器件高25%,使设计者能把更多的功能集成在较小的逻辑面积.90nm制造技术和高效率结构能得到最大的集成度,和以前的高密度结构相比,极大地降低了成本.
Stratix II FPGA是业界最快的FPGA,内部时钟速率高达500MHz,典型的设计性能超过250MHz.
制造商:STMicroelectronics 产品种类:ARM微控制器 - MCU 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:UFQFPN-32 程序存储器大小:16 kB 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:48 MHz 数据 RAM 大小:8 kB 工作电源电压:2 V to 3.6 V 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tray 程序存储器类型:Flash 商标:STMicroelectronics 数据 Ram 类型:SRAM 湿度敏感性:Yes 处理器系列:ARM Cortex M 产品类型:ARM Microcontrollers - MCU 工厂包装数量2940 子类别:Microcontrollers - MCU 单位重量:1 g
AGRA10E的输出功率也大于10W,频率范围从100MHz到1.0GHz.该器件采用金层金属化,具有高度可靠性,高增益,高效率和线性度.
器件还集成了ESD保护,在输出功率10W时能经受10:1的电压驻波比.
AGRB10E很适合用在460-472MHz的北欧移动电话(NMT),IS-95别865-895MHz的个人蜂窝电话,921-960MHz的GSM/EDGE手机和从100MHz到1GHz的功率转换.漏源电压Vdss达到65V,耗散功率Pd=38.9W.
功率增益可高达24dB,效率高达65%以上.
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