单晶体管和磁隧道o.18um技术制造CMOS铜互连技术
发布时间:2021/2/2 23:36:33 访问次数:176
4Mb MRAM芯片是采用o.18um技术制造.MRAM是一种革命性存储器技术,它具有难以置信的持久性和速度,能替代今天的半导体存储器技术.
4Mb 容量的MRAM是256Kx16,采用CMOS铜互连技术,MRAM单元是单晶体管和磁隧道结的结构,它的读和写时间小于50ns.
由于MRAM具有非挥发性,数据保持持久性,速度和密度的性能组合,所以它能成为通用的存储器用在许多方面而消除了需要各种存储器的组合.
制造商:Yageo产品种类:厚膜电阻器 - SMDRoHS: 封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel系列:电阻:330 kOhms功率额定值:30 mW (1/32 W)容差:1 %温度系数:200 PPM / C最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 125 C电压额定值:15 V外壳代码 - in:01005外壳代码 - mm:0402应用:High Reliability特点:-高度:0.13 mm长度:0.4 mm封装 / 箱体:-产品:Thick Film Resistors SMD技术:Thick Film端接类型:SMD/SMT类型:General Purpose宽度:0.2 mm商标:Yageo安装风格:PCB Mount产品类型:Thick Film Resistors20000子类别:Resistors单位重量:38.400 mg
HPFC-5600支持双通路,全双工光纤通道端口操作,为系统制造商节省有用的板空间.
它可进行1Gbps 和2Gbps的操作,并向下和前一代的Tachyon控制器兼容.HPFC-5600和工业标准的33和66MHz PCI接口,支持有32位和64位的66/100/133MHz PCI-X(增强PCI)总线结构.
区块在真实的PSN条件下通过重建TDM时钟,满足G.823/G.824兼容的抖动和漂移性能.
(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)
4Mb MRAM芯片是采用o.18um技术制造.MRAM是一种革命性存储器技术,它具有难以置信的持久性和速度,能替代今天的半导体存储器技术.
4Mb 容量的MRAM是256Kx16,采用CMOS铜互连技术,MRAM单元是单晶体管和磁隧道结的结构,它的读和写时间小于50ns.
由于MRAM具有非挥发性,数据保持持久性,速度和密度的性能组合,所以它能成为通用的存储器用在许多方面而消除了需要各种存储器的组合.
制造商:Yageo产品种类:厚膜电阻器 - SMDRoHS: 封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel系列:电阻:330 kOhms功率额定值:30 mW (1/32 W)容差:1 %温度系数:200 PPM / C最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 125 C电压额定值:15 V外壳代码 - in:01005外壳代码 - mm:0402应用:High Reliability特点:-高度:0.13 mm长度:0.4 mm封装 / 箱体:-产品:Thick Film Resistors SMD技术:Thick Film端接类型:SMD/SMT类型:General Purpose宽度:0.2 mm商标:Yageo安装风格:PCB Mount产品类型:Thick Film Resistors20000子类别:Resistors单位重量:38.400 mg
HPFC-5600支持双通路,全双工光纤通道端口操作,为系统制造商节省有用的板空间.
它可进行1Gbps 和2Gbps的操作,并向下和前一代的Tachyon控制器兼容.HPFC-5600和工业标准的33和66MHz PCI接口,支持有32位和64位的66/100/133MHz PCI-X(增强PCI)总线结构.
区块在真实的PSN条件下通过重建TDM时钟,满足G.823/G.824兼容的抖动和漂移性能.
(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)