eSRAM的速度和闪存非挥发性PDA数码相机的过流保护
发布时间:2021/2/2 23:31:19 访问次数:305
MRAM在单一芯片组合了三种主要存储器的性能:eDRAM的密度,eSRAM的速度和闪存的非挥发性.
MRAM采用磁性元件而不是电荷来决定存储器位单元的开/关状态,使它在许多的应用领域,电子系统和消费类电子,MRAM能替代多种存储器器件.
设计者可从降低系统多种存储器的复杂性,减低整个系统成本和改善性能中受益.
MRAM的长寿命和可靠性使它很适合用在苛刻的环境,或需要长系统寿命的地方如汽车电子和工业系统.此外还可用在军事和航空航天系统.
制造商:Molex产品种类:可插拔接线端子RoHS: 产品:Plugs位置数量:18 Position节距:5.08 mm端接类型:Screw电流额定值:15 A电压额定值:300 V线规最小值:22 AWG线规最大值:12 AWG线规量程:22 AWG to 12 AWG系列:颜色:Black外壳材料:Nylon安装角:Vertical商标:Molex可燃性等级:UL 94 V-0产品类型:Pluggable Terminal Blocks48子类别:Terminal Blocks商标名:零件号别名:399400718 947918 0399400718
MRAM采用磁性元件而不是电荷来决定存储器位单元的开/关状态,使它在许多的应用领域,电子系统和消费类电子,MRAM能替代多种存储器器件.
设计者可从降低系统多种存储器的复杂性,减低整个系统成本和改善性能中受益.
超小型USF 0603表面安装的保险丝,它的容量在32V AC/DC时为50A,可用在有密集电路的敏感设备如手机,PDA和数码相机的过流保护.
保险丝的尺寸为1.6 (L) x 0.8 (W) x 0.6 (H) mm.,完全是无铅的.工作温度-55度到90度C.
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
MRAM在单一芯片组合了三种主要存储器的性能:eDRAM的密度,eSRAM的速度和闪存的非挥发性.
MRAM采用磁性元件而不是电荷来决定存储器位单元的开/关状态,使它在许多的应用领域,电子系统和消费类电子,MRAM能替代多种存储器器件.
设计者可从降低系统多种存储器的复杂性,减低整个系统成本和改善性能中受益.
MRAM的长寿命和可靠性使它很适合用在苛刻的环境,或需要长系统寿命的地方如汽车电子和工业系统.此外还可用在军事和航空航天系统.
制造商:Molex产品种类:可插拔接线端子RoHS: 产品:Plugs位置数量:18 Position节距:5.08 mm端接类型:Screw电流额定值:15 A电压额定值:300 V线规最小值:22 AWG线规最大值:12 AWG线规量程:22 AWG to 12 AWG系列:颜色:Black外壳材料:Nylon安装角:Vertical商标:Molex可燃性等级:UL 94 V-0产品类型:Pluggable Terminal Blocks48子类别:Terminal Blocks商标名:零件号别名:399400718 947918 0399400718
MRAM采用磁性元件而不是电荷来决定存储器位单元的开/关状态,使它在许多的应用领域,电子系统和消费类电子,MRAM能替代多种存储器器件.
设计者可从降低系统多种存储器的复杂性,减低整个系统成本和改善性能中受益.
超小型USF 0603表面安装的保险丝,它的容量在32V AC/DC时为50A,可用在有密集电路的敏感设备如手机,PDA和数码相机的过流保护.
保险丝的尺寸为1.6 (L) x 0.8 (W) x 0.6 (H) mm.,完全是无铅的.工作温度-55度到90度C.
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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