浮点的硬件完全和标准IEEE 754兼容的内部斜率补偿
发布时间:2021/2/2 8:51:18 访问次数:326
器件有两种选择, 隔行扫描正激的和隔行扫描反激的绝缘拓扑学,它集成了两个工作在反相180度的PWM通道,控制大电流输出.
控制器提供可编的内部斜率补偿,精密地匹配两个通道的电流.
比其它解决方案有更高的功率密度,UCC28220和UCC28221 PWM控制器提供准确的最大占空比钳位,每通道的占空比能在60%到90%间编程.
制造商:Infineon 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-247-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:900 V Id-连续漏极电流:36 A Rds On-漏源导通电阻:120 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V Qg-栅极电荷:270 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:417 W 通道模式:Enhancement 商标名: 封装:Tube 配置:Single 高度:21.1 mm 长度:16.13 mm 系列: 晶体管类型:1 N-Channel 宽度:5.21 mm 商标:Infineon Technologies 下降时间:25 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:20 ns 240 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:400 ns 典型接通延迟时间:70 ns 零件号别名:IPW9R12C3XK SP000413750 IPW90R120C3FKSA1 单位重量:38 g
在嵌入市场有最高性能的32位可合成的核系列MIPS32 24K.它具有550MHz最佳设计流程和系统级片内互连.市场对高性能和可编程性的需求正日益俱增,系统公司面临压力要降低成本,同时要把更多的特性和功能集成在下一代SoC芯片中.
MIPS32 24K核系列很适合用在这方面,如完全的数字电视,机顶盒和DVD设备.这些设备都需要高性能的微处理器给用户提供最佳的性能.
24Kf 核:包括支持浮点的硬件,完全和标准IEEE 754兼容,浮点是几种主要应用的关键部件.
(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)
器件有两种选择, 隔行扫描正激的和隔行扫描反激的绝缘拓扑学,它集成了两个工作在反相180度的PWM通道,控制大电流输出.
控制器提供可编的内部斜率补偿,精密地匹配两个通道的电流.
比其它解决方案有更高的功率密度,UCC28220和UCC28221 PWM控制器提供准确的最大占空比钳位,每通道的占空比能在60%到90%间编程.
制造商:Infineon 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-247-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:900 V Id-连续漏极电流:36 A Rds On-漏源导通电阻:120 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V Qg-栅极电荷:270 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:417 W 通道模式:Enhancement 商标名: 封装:Tube 配置:Single 高度:21.1 mm 长度:16.13 mm 系列: 晶体管类型:1 N-Channel 宽度:5.21 mm 商标:Infineon Technologies 下降时间:25 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:20 ns 240 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:400 ns 典型接通延迟时间:70 ns 零件号别名:IPW9R12C3XK SP000413750 IPW90R120C3FKSA1 单位重量:38 g
在嵌入市场有最高性能的32位可合成的核系列MIPS32 24K.它具有550MHz最佳设计流程和系统级片内互连.市场对高性能和可编程性的需求正日益俱增,系统公司面临压力要降低成本,同时要把更多的特性和功能集成在下一代SoC芯片中.
MIPS32 24K核系列很适合用在这方面,如完全的数字电视,机顶盒和DVD设备.这些设备都需要高性能的微处理器给用户提供最佳的性能.
24Kf 核:包括支持浮点的硬件,完全和标准IEEE 754兼容,浮点是几种主要应用的关键部件.
(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)