数据闪存部分初始存取时间为170ns异步页读时间为55ns
发布时间:2023/5/29 19:07:37 访问次数:121
LV18/LV30 SCSP系列采用Intel第四代MLC处0.13um ETOX.VIII生产技术,提供低功耗高性能的代码执行和大容量嵌入数据解决方案.
高性能代码部分是多分段的同步突发模式读时写(RWW)或擦除时读(RWE)Intel StrataFlash无线存储器芯片,而大容量嵌入数据部分是单段异步Intel StrataFlash无线存储器芯片.
器件的工作电压为1.8V,代码闪存部分的初始存取时间为85ns,异步页读时间为25ns,同步读时间为14ns,时钟频率为54MHz;数据闪存部分的初始存取时间为170ns, 异步页读时间为55ns.工作温度为-25 °C 到 +85 °C.
福建芯鸿科技有限公司http://xhkjgs.51dzw.com
制造商:Renesas Electronics产品种类:32位微控制器 - MCURoHS: 系列:封装:Tray商标:Renesas Electronics湿度敏感性:Yes产品类型:32-bit Microcontrollers - MCU72子类别:Microcontrollers - MCU
制造商:Bulgin产品种类:拨动开关RoHS: 照明:Non-Illuminated照明颜色:-灯类型:-商标:Bulgin产品类型:Toggle Switches250子类别:Switches单位重量:52.502 g
验证时间越长，启动时间越长，而启动时间变长会减少系统正常运行时间。许多云服务都包含一项服务水平协议.
这种重置和看门狗电路能用来监视低功率微处理器,微控制器和数字系统的电源.EM6323/24用作看门狗,通过发送合适的重置脉冲,保证MCU在所有时间内能工作正常.
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
LV18/LV30 SCSP系列采用Intel第四代MLC处0.13um ETOX.VIII生产技术,提供低功耗高性能的代码执行和大容量嵌入数据解决方案.
高性能代码部分是多分段的同步突发模式读时写(RWW)或擦除时读(RWE)Intel StrataFlash无线存储器芯片,而大容量嵌入数据部分是单段异步Intel StrataFlash无线存储器芯片.
器件的工作电压为1.8V,代码闪存部分的初始存取时间为85ns,异步页读时间为25ns,同步读时间为14ns,时钟频率为54MHz;数据闪存部分的初始存取时间为170ns, 异步页读时间为55ns.工作温度为-25 °C 到 +85 °C.
福建芯鸿科技有限公司http://xhkjgs.51dzw.com
制造商:Renesas Electronics产品种类:32位微控制器 - MCURoHS: 系列:封装:Tray商标:Renesas Electronics湿度敏感性:Yes产品类型:32-bit Microcontrollers - MCU72子类别:Microcontrollers - MCU
制造商:Bulgin产品种类:拨动开关RoHS: 照明:Non-Illuminated照明颜色:-灯类型:-商标:Bulgin产品类型:Toggle Switches250子类别:Switches单位重量:52.502 g
验证时间越长，启动时间越长，而启动时间变长会减少系统正常运行时间。许多云服务都包含一项服务水平协议.
这种重置和看门狗电路能用来监视低功率微处理器,微控制器和数字系统的电源.EM6323/24用作看门狗,通过发送合适的重置脉冲,保证MCU在所有时间内能工作正常.
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
相关技术资料- 5-6集成 MPPT 算法 DC-DC 芯片产品应用概述
- 5-6PMU 芯片、AI 电源管理芯片优特点及用途分析
- 5-6单芯片高像素CIS架构3,200 万像素图像传感器
- 5-6UFS主控芯片WM7000系列应用详情
- 5-6模拟芯片与互联芯片市场布局走势及应用前景探究
- 5-6存储芯片市场布局驱动芯片与智能卡芯片产品发展趋势分析
- 5-5新一代至强处理器Clearwater
- 5-5Ti2AlSnC MAX米纤维膜光热层光热蒸发器
- 5-5Foveros Direct和 EMIB（2.5D桥接）技术详解
- 5-518A-PT工艺先进3D封装技术应用研究
- 5-5新一代超薄中长距激光雷达EMX
- 5-5激光雷达+双英伟达Thor芯片（算力1400TOPS）探究
公网安备44030402000607
