Sun Fireplane的系统接口单元Vishay低漏电流的硅技术
发布时间:2021/2/1 20:16:34 访问次数:193
UltraSPARC IV处理器共享接口包括有支持高达16GB DRAM的片内存储器控制器和提供接入到Sun Fireplane的系统接口单元,使之互相连接.
采用TI公司的130nm工艺,最初的处理器工作在1200MHz的频率,以后会更高. UltraSPARC IV设计上的性能改进,使目前的1200MHz UltraSPARC III处理器商业应用的吞吐量扩展范围从1.6到2倍.
用户的性能会随系统配置和工作量而改变.将来的UltraSPARC IV处理器将会用TI公司的90nm技术来制造,增进了结构,增加了时钟速度,使吞吐量增加到UltraSPARC III处理器的3-4倍.
制造商:STMicroelectronics 产品种类:运算放大器 - 运放 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SO-8 通道数量:2 Channel 电源电压-最大:36 V GBP-增益带宽产品:4 MHz 每个通道的输出电流:40 mA SR - 转换速率 :16 V/us Vos - 输入偏置电压 :1 mV 电源电压-最小:6 V 最小工作温度:0 C 最大工作温度:+ 70 C Ib - 输入偏流:20 pA 工作电源电流:1.4 mA 关闭:No Shutdown CMRR - 共模抑制比:86 dB en - 输入电压噪声密度:15 nV/sqrt Hz 系列: 资格:AEC-Q100 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 放大器类型:General Purpose Amplifier 高度:1.75 mm 输入类型:Differential 长度:4.9 mm 输出类型:- 产品:Operational Amplifiers 宽度:3.9 mm 商标:STMicroelectronics THD + 噪声:0.01 % 拓扑结构:Dual 3dB带宽:- 增益V/V:200 V/mV Ios - 输入偏置电流 :5 pA 产品类型:Op Amps - Operational Amplifiers PSRR - 电源抑制比:86 dB 2500 子类别:Amplifier ICs Vcm - 共模电压:- 12 V to 15 V 单位重量:506.600 mg
SMF (DO219-AB)封装也能用来替代更长占位面积的器件如SMA和M1F,空间节省多达40%.
Vishay的专利折叠框技术提供大功率容量和低的正向压降,保证了最佳的功率效率以及优异的浪涌电流能力.在这种新封装的设计中也包括了Vishay低漏电流的硅技术,节省了能耗.
SMF (DO219-AB)封装是无铅的,因此也增强了环保性能.它能在260 °C回流焊, 湿度灵敏性L1级,向下兼容现有的回流焊工艺.
现在可批量提供SMF (DO219-AB)封装的二极管.
UltraSPARC IV处理器共享接口包括有支持高达16GB DRAM的片内存储器控制器和提供接入到Sun Fireplane的系统接口单元,使之互相连接.
采用TI公司的130nm工艺,最初的处理器工作在1200MHz的频率,以后会更高. UltraSPARC IV设计上的性能改进,使目前的1200MHz UltraSPARC III处理器商业应用的吞吐量扩展范围从1.6到2倍.
用户的性能会随系统配置和工作量而改变.将来的UltraSPARC IV处理器将会用TI公司的90nm技术来制造,增进了结构,增加了时钟速度,使吞吐量增加到UltraSPARC III处理器的3-4倍.
制造商:STMicroelectronics 产品种类:运算放大器 - 运放 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SO-8 通道数量:2 Channel 电源电压-最大:36 V GBP-增益带宽产品:4 MHz 每个通道的输出电流:40 mA SR - 转换速率 :16 V/us Vos - 输入偏置电压 :1 mV 电源电压-最小:6 V 最小工作温度:0 C 最大工作温度:+ 70 C Ib - 输入偏流:20 pA 工作电源电流:1.4 mA 关闭:No Shutdown CMRR - 共模抑制比:86 dB en - 输入电压噪声密度:15 nV/sqrt Hz 系列: 资格:AEC-Q100 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 放大器类型:General Purpose Amplifier 高度:1.75 mm 输入类型:Differential 长度:4.9 mm 输出类型:- 产品:Operational Amplifiers 宽度:3.9 mm 商标:STMicroelectronics THD + 噪声:0.01 % 拓扑结构:Dual 3dB带宽:- 增益V/V:200 V/mV Ios - 输入偏置电流 :5 pA 产品类型:Op Amps - Operational Amplifiers PSRR - 电源抑制比:86 dB 2500 子类别:Amplifier ICs Vcm - 共模电压:- 12 V to 15 V 单位重量:506.600 mg
SMF (DO219-AB)封装也能用来替代更长占位面积的器件如SMA和M1F,空间节省多达40%.
Vishay的专利折叠框技术提供大功率容量和低的正向压降,保证了最佳的功率效率以及优异的浪涌电流能力.在这种新封装的设计中也包括了Vishay低漏电流的硅技术,节省了能耗.
SMF (DO219-AB)封装是无铅的,因此也增强了环保性能.它能在260 °C回流焊, 湿度灵敏性L1级,向下兼容现有的回流焊工艺.
现在可批量提供SMF (DO219-AB)封装的二极管.
相关技术资料- 5-21带控制引脚锂电保护芯片 SC5617E
- 5-21全新互连技术—NVLink Fusion
- 5-21最新一代GB300 AI系统技术参数设计
- 5-21Data Center Building Block Soluti
- 5-21新品4U前端I/O NVIDIA HGX™B200 8
- 5-21DLC-2第二代直接液冷技术（Direct Liqu
- 5-20最新一代低功耗无线射频芯片OM6629系列方案
- 5-20新一代 Zen 6 EPYC 处理器 Venice
- 5-20Immortalis-G925 GPU工作原理
- 5-20Hopper架构H20芯片应用前景分析
- 5-20传感器、芯片和算力平台、通信模块、执行机构名词解释
- 5-20Automatic Emergency Braking自动紧急制动
公网安备44030402000607
