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意法打破半导体规则,汽车应用获益

发布时间:2007/9/1 0:00:00 访问次数:320

       世界上最大的半导体制造商之一的意法半导体(ST)日前推出新一代VIPowerTM(纵向智能功率器件)技术,VIPower技术为ST公司独家专有,新技术的问世进一步加强了该公司在智能功率器件领域的领导地位。代号为M0-5的新技术采用一项获得专利的控制策略,使该公司能够减小芯片及封装的尺寸,同时输出与现有产品相同的功率,而且还大幅度提高了产品的强固性。这项新技术特别适用于以更小、更轻、更便宜为需求特点的汽车应用,使汽车元器件实现了在极具挑战性的物理和电条件下必须稳定工作的要求。

  ST开发新一代汽车智能功率技术的基础是,对异常工况下导致元器件故障的汽车物理机制进行全面分析,例如:瞬间短路或永久性短路以及当第一次接通电路时发生快速瞬间过热现象。该公司开发出了创新的控制策略,通过主动功率限制,降低这些应力对电路中易受破坏和器件的影响。这样,对于一个给定的功率处理标准,新器件所需芯片尺寸比传统器件降低大约40%(封装尺寸也相应降低,从而降低系统成本),而器件的强固性得到大幅度提高。

  ST VIPower 及RF产品部总经理Domenico Billè说:“这是多年来汽车半导体技术取得的最大突破,在历史上,如果降低功率晶体管的物理尺寸,器件往往更容易遭受在现实的汽车应用中经常出现的应力的影响。现在,通过嵌入创新的主动保护电路,我们的器件不仅尺寸变小,成本效益提高,而且还增强了在汽车应用中抵抗异常工作条件影响的强固性。”

  像ST所有的智能功率技术一样,新的M0-5技术基于纵向电流技术,即通过配置高性能的晶体管,强电流(典型情况下是驱动车灯、马达和电磁阀)在芯片顶层和底层之间纵向流动,而控制诊断集成电路呈水平方向位于芯片顶层。这种经过验证的器件结构使VIPower器件的功率处理能力等同于甚至高于分立器件的处理性能,同时还可以在器件上集成先进的控制诊断电路。

  ST的新技术融合了芯片和封装领域取得的技术进步,除了在各种工况下限制功耗的创新控制策略和改进的EMC(电磁兼容性)外,新技术还大幅度降低了待机电流,从原先的12微安每片降低到2微安每片。

  ST利用这项技术设计出了一系列新的上桥臂驱动器,新产品系列包括单、双和四驱动器产品,通态电阻从2毫欧到160毫欧。样片从2004年第四季度开始供汽车客户检测。

  编者按

* 智能限流非常重要;在发生浪涌时,限流值必须很高;在低负载时,限流值必须很低,以降低硅片受到的应力,提高器件的强固性;
* 通过限制最大功耗,M0-5器件没有快速瞬间过热产生的应力。
* 控制策略保护元器件的电压高达36V汽车电瓶电压。
 (转自 集成电路产业网新闻管理部)


       世界上最大的半导体制造商之一的意法半导体(ST)日前推出新一代VIPowerTM(纵向智能功率器件)技术,VIPower技术为ST公司独家专有,新技术的问世进一步加强了该公司在智能功率器件领域的领导地位。代号为M0-5的新技术采用一项获得专利的控制策略,使该公司能够减小芯片及封装的尺寸,同时输出与现有产品相同的功率,而且还大幅度提高了产品的强固性。这项新技术特别适用于以更小、更轻、更便宜为需求特点的汽车应用,使汽车元器件实现了在极具挑战性的物理和电条件下必须稳定工作的要求。

  ST开发新一代汽车智能功率技术的基础是,对异常工况下导致元器件故障的汽车物理机制进行全面分析,例如:瞬间短路或永久性短路以及当第一次接通电路时发生快速瞬间过热现象。该公司开发出了创新的控制策略,通过主动功率限制,降低这些应力对电路中易受破坏和器件的影响。这样,对于一个给定的功率处理标准,新器件所需芯片尺寸比传统器件降低大约40%(封装尺寸也相应降低,从而降低系统成本),而器件的强固性得到大幅度提高。

  ST VIPower 及RF产品部总经理Domenico Billè说:“这是多年来汽车半导体技术取得的最大突破,在历史上,如果降低功率晶体管的物理尺寸,器件往往更容易遭受在现实的汽车应用中经常出现的应力的影响。现在,通过嵌入创新的主动保护电路,我们的器件不仅尺寸变小,成本效益提高,而且还增强了在汽车应用中抵抗异常工作条件影响的强固性。”

  像ST所有的智能功率技术一样,新的M0-5技术基于纵向电流技术,即通过配置高性能的晶体管,强电流(典型情况下是驱动车灯、马达和电磁阀)在芯片顶层和底层之间纵向流动,而控制诊断集成电路呈水平方向位于芯片顶层。这种经过验证的器件结构使VIPower器件的功率处理能力等同于甚至高于分立器件的处理性能,同时还可以在器件上集成先进的控制诊断电路。

  ST的新技术融合了芯片和封装领域取得的技术进步,除了在各种工况下限制功耗的创新控制策略和改进的EMC(电磁兼容性)外,新技术还大幅度降低了待机电流,从原先的12微安每片降低到2微安每片。

  ST利用这项技术设计出了一系列新的上桥臂驱动器,新产品系列包括单、双和四驱动器产品,通态电阻从2毫欧到160毫欧。样片从2004年第四季度开始供汽车客户检测。

  编者按

* 智能限流非常重要;在发生浪涌时,限流值必须很高;在低负载时,限流值必须很低,以降低硅片受到的应力,提高器件的强固性;
* 通过限制最大功耗,M0-5器件没有快速瞬间过热产生的应力。
* 控制策略保护元器件的电压高达36V汽车电瓶电压。
 (转自 集成电路产业网新闻管理部)


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