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400mV内部DC断接FET或使用热插拔控制器

发布时间:2021/1/30 12:50:43 访问次数:217

在倍压器应用中,如果输入电压从零缓慢地斜坡上升,则 LTC7820 能够在不经受电容器浪涌充电电流的情况下启动。

只要输入电压以缓慢的速度斜坡上升 (持续时间为几 ms),则输出电压能跟踪输入电压,而且电容器之间的电压差保持很小,因此没有大的浪涌电流。

输入的转换速率控制可通过在输入端上采用一个断接 FET 或使用热插拔控制器来实现,如 LTC7820 产品手册中的典型应用部分。

制造商:Infineon 产品种类:MOSFET RoHS: 详细信息 技术:Si 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220FP-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:600 V Id-连续漏极电流:14.7 A Rds On-漏源导通电阻:890 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:3 V Qg-栅极电荷:32 nC 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:31 W 商标名:CoolMOS 封装:Tube 配置:Single 高度:16.15 mm 长度:10.65 mm 系列:CoolMOS CE 晶体管类型:1 N-Channel 宽度:4.85 mm 商标:Infineon Technologies 下降时间:8 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:9 ns 工厂包装数量:500 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:56 ns 典型接通延迟时间:11 ns 零件号别名:IPA60R400CE SP001276040 单位重量:6 g

单电压比较器可以检测输入电压是高于还是低于参考阈值。确定输入电压是否在两个极限之间时(称为开窗),需要使用两个比较器,每个极限值使用一个比较器。

电路采用了 Texas Instruments 的 TLV6710DDCR 双电压比较器。TLV6710 包含两个用于高电压应用的高精度比较器。供电电压可以在 1.8 至 36 伏之间。

该器件包含一个 400 mV 内部 DC 参考源。比较器输出采用开漏连接,可以通过一个公共上拉电阻将其输出连接在一起,进行逻辑“或”运算。


(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)


在倍压器应用中,如果输入电压从零缓慢地斜坡上升,则 LTC7820 能够在不经受电容器浪涌充电电流的情况下启动。

只要输入电压以缓慢的速度斜坡上升 (持续时间为几 ms),则输出电压能跟踪输入电压,而且电容器之间的电压差保持很小,因此没有大的浪涌电流。

输入的转换速率控制可通过在输入端上采用一个断接 FET 或使用热插拔控制器来实现,如 LTC7820 产品手册中的典型应用部分。

制造商:Infineon 产品种类:MOSFET RoHS: 详细信息 技术:Si 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220FP-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:600 V Id-连续漏极电流:14.7 A Rds On-漏源导通电阻:890 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:3 V Qg-栅极电荷:32 nC 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:31 W 商标名:CoolMOS 封装:Tube 配置:Single 高度:16.15 mm 长度:10.65 mm 系列:CoolMOS CE 晶体管类型:1 N-Channel 宽度:4.85 mm 商标:Infineon Technologies 下降时间:8 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:9 ns 工厂包装数量:500 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:56 ns 典型接通延迟时间:11 ns 零件号别名:IPA60R400CE SP001276040 单位重量:6 g

单电压比较器可以检测输入电压是高于还是低于参考阈值。确定输入电压是否在两个极限之间时(称为开窗),需要使用两个比较器,每个极限值使用一个比较器。

电路采用了 Texas Instruments 的 TLV6710DDCR 双电压比较器。TLV6710 包含两个用于高电压应用的高精度比较器。供电电压可以在 1.8 至 36 伏之间。

该器件包含一个 400 mV 内部 DC 参考源。比较器输出采用开漏连接,可以通过一个公共上拉电阻将其输出连接在一起,进行逻辑“或”运算。


(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)


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