三个串联LED/开关联低RDSON的N沟MOSFET
发布时间:2021/1/30 0:06:31 访问次数:855
MAX25605集成了六个级联低RDSON的N沟MOSFET,适用于高达750mA的LED照明应用.每个开关支持高达三个串联LED/开关.
LED串电压支持高达60V,N沟MOSFET分成两组,每组三个,使得单个器件能顺序一个或两个LED串.
集成的栅极驱动器和电平转移用于每个开关,它由内部电荷泵稳压器,支持降压-升压和升压到电池应用.顺序功能和时序由连接电阻到A0,A1,A2和CLK输入进行编程.
编程选择包括调光上/下,短路LED阈值,多个器件顺序位置,调光频率和变暗周期.
制造商:Infineon 产品种类:IGBT 晶体管 RoHS: 详细信息 技术:Si 封装 / 箱体:TO-263-3 安装风格:SMD/SMT 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:2.1 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:11 A Pd-功率耗散:63 W 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 175 C 系列:RC 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 高度:4.57 mm 长度:10.31 mm 宽度:9.45 mm 商标:Infineon / IR 栅极—射极漏泄电流:100 nA 产品类型:IGBT Transistors 工厂包装数量:800 子类别:IGBTs 商标名:TRENCHSTOP 单位重量:260.400 mg
支持的取样频率从44.1 kHz 到192 kHz.器件还提供高度灵活的输出级配置,从表面上看单端输出到单个并行BTL输出.
MA12070P的高效率(PMP4)包括小于160mW的空闲功耗,2W的效率大于80%,满功率时的效率大于92%.MA12070P的音频性能(PMP2)包括>101dB DNR (A律, 1% THD+N 功率电平),输出综合噪音(A律)为140μV,高输出时的THD+N为0.007%.
器件的保护功能包括欠压锁住,超温告警/误差,短路/过载保护,功率级引脚本-引脚短路,通过I2C进行到底误差报告,DC保护和I2C控制(四个可选择地址).
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
MAX25605集成了六个级联低RDSON的N沟MOSFET,适用于高达750mA的LED照明应用.每个开关支持高达三个串联LED/开关.
LED串电压支持高达60V,N沟MOSFET分成两组,每组三个,使得单个器件能顺序一个或两个LED串.
集成的栅极驱动器和电平转移用于每个开关,它由内部电荷泵稳压器,支持降压-升压和升压到电池应用.顺序功能和时序由连接电阻到A0,A1,A2和CLK输入进行编程.
编程选择包括调光上/下,短路LED阈值,多个器件顺序位置,调光频率和变暗周期.
制造商:Infineon 产品种类:IGBT 晶体管 RoHS: 详细信息 技术:Si 封装 / 箱体:TO-263-3 安装风格:SMD/SMT 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:2.1 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:11 A Pd-功率耗散:63 W 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 175 C 系列:RC 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 高度:4.57 mm 长度:10.31 mm 宽度:9.45 mm 商标:Infineon / IR 栅极—射极漏泄电流:100 nA 产品类型:IGBT Transistors 工厂包装数量:800 子类别:IGBTs 商标名:TRENCHSTOP 单位重量:260.400 mg
支持的取样频率从44.1 kHz 到192 kHz.器件还提供高度灵活的输出级配置,从表面上看单端输出到单个并行BTL输出.
MA12070P的高效率(PMP4)包括小于160mW的空闲功耗,2W的效率大于80%,满功率时的效率大于92%.MA12070P的音频性能(PMP2)包括>101dB DNR (A律, 1% THD+N 功率电平),输出综合噪音(A律)为140μV,高输出时的THD+N为0.007%.
器件的保护功能包括欠压锁住,超温告警/误差,短路/过载保护,功率级引脚本-引脚短路,通过I2C进行到底误差报告,DC保护和I2C控制(四个可选择地址).
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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公网安备44030402000607
