精确和可配置欠压锁住提供保护从而保证栅极驱动电压富裕度
发布时间:2023/12/19 23:01:44 访问次数:24
MC33GD3100是SiC和IGBT功率器件单路栅极驱动器.其集成的电流隔离和低开态电阻提供了高的充电和放电电流,低动态饱和电压和轨到轨栅极电压控制.
电流和温度检测最大限度降低IGBT故障时的应力,精确和可配置的欠压锁住(UVLO)提供了保护,从而保证了栅极驱动电压的富裕度.
MC33GD3100通过INTB引脚和SPI接口自主管理故障和报告故障与状态.器件能直接驱动大多数的IGBT和SiC MOSFET.
制造商:Micron Technology产品种类:eMMCRoHS: 系列:存储容量:8 GB配置:MLC连续读取:190 MB/s连续写入:22 MB/s工作电源电压:2.7 V to 3.6 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C封装:Tray封装 / 箱体:VFBGA-153产品:eMMC Flash Drive商标:Micron安装风格:SMD/SMT湿度敏感性:Yes产品类型:eMMC1520子类别:Memory & Data Storage单位重量:4.789 g
全集成的反向的功率级(IPM),包括了高压驱动器,六个IGBT和温度传感器,适合于驱动永磁同步马达(PMSM),无刷DC(BLDC)马达和异步马达.
IGBT配置成3相桥接,有单独的用于下腿的发射极连接,以便选择控制算法是有最大限度的灵活性.
功率级具有全范围的保护功能,包括交叉导通保护,外部关断和欠压锁住等功能.连接到过流保护电路的内部比较器和基准允许设计者设定过流的保护水平.
主要用在工业泵,工业风扇,工业自动化和家用电器.
MC33GD3100是SiC和IGBT功率器件单路栅极驱动器.其集成的电流隔离和低开态电阻提供了高的充电和放电电流,低动态饱和电压和轨到轨栅极电压控制.
电流和温度检测最大限度降低IGBT故障时的应力,精确和可配置的欠压锁住(UVLO)提供了保护,从而保证了栅极驱动电压的富裕度.
MC33GD3100通过INTB引脚和SPI接口自主管理故障和报告故障与状态.器件能直接驱动大多数的IGBT和SiC MOSFET.
制造商:Micron Technology产品种类:eMMCRoHS: 系列:存储容量:8 GB配置:MLC连续读取:190 MB/s连续写入:22 MB/s工作电源电压:2.7 V to 3.6 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C封装:Tray封装 / 箱体:VFBGA-153产品:eMMC Flash Drive商标:Micron安装风格:SMD/SMT湿度敏感性:Yes产品类型:eMMC1520子类别:Memory & Data Storage单位重量:4.789 g
全集成的反向的功率级(IPM),包括了高压驱动器,六个IGBT和温度传感器,适合于驱动永磁同步马达(PMSM),无刷DC(BLDC)马达和异步马达.
IGBT配置成3相桥接,有单独的用于下腿的发射极连接,以便选择控制算法是有最大限度的灵活性.
功率级具有全范围的保护功能,包括交叉导通保护,外部关断和欠压锁住等功能.连接到过流保护电路的内部比较器和基准允许设计者设定过流的保护水平.
主要用在工业泵,工业风扇,工业自动化和家用电器.
相关技术资料- 5-17双音频(DTMF)发生器HT9200AB
- 5-17第三代TPG3AD1S09 905 nm脉冲激光二极管
- 5-17全新X-Cite TETREM LED光源特点应用
- 5-17全球半导体市场规模及发展前景分析
- 5-17铁基液流电池（Iron-based Flow Battery， I
- 5-17板对板连接器SFM-103-T1-S-D-LC-K-TR
- 5-16相变存储器（PCM）技术Stellar P 和 G
- 5-16新一代可动态调整存储配置存储器应用详解
- 5-16第13代英特尔酷睿处理器工作原理
- 5-16CPU+GPU+NPU构成酷睿Ultra芯片
- 5-16CMOS图像传感器芯片应用前景分析
- 5-16HDR10 + 和 Dolby Vision 技术探究
公网安备44030402000607
