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功率模块和开路发射极IM535-U6D提供全特性

发布时间:2021/1/29 19:51:31 访问次数:832

CIPOS™ Mini 600 V 30 A三相TRENCHSTOP™ IGBT,基于智能功率模块和开路发射极,采用DIP 36x21D封装. IM535-U6D提供全特性的紧凑的逆变器带DCB衬底解决方案,具有极好的热特性.

基于TRENCHSTOP™ IGBT和抗并联二极管,优化的SOI栅极驱动器,以及极好热导性和电绝缘,从而具有更高的功率能力.

器件具有30A逆变器电流额度,集成了自举功能,过流关断,在保护时所有6个开关关断,所有通路具有欠压锁住.器件具有睡眠功能,防止交叉导通,10kHz时的马达额定功率高达3000W,满足UL认证.

制造商:Vishay 产品种类:ESD 抑制器/TVS 二极管 产品类型:TVS Diodes 极性:Unidirectional 工作电压:33 V 通道数量:1 Channel 端接类型:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-218AB-2 击穿电压:36.7 V 钳位电压:53.3 V 峰值脉冲功耗 (Pppm):6.6 kW Ipp - 峰值脉冲电流:124 A 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 175 C 系列: 资格:AEC-Q101 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 商标:Vishay Semiconductors Pd-功率耗散:8 W 750 子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes 商标名: 零件号别名:SM8S33ATHE3/I 单位重量:2.600 g

差分或单端输入到差分输出,100MHz时的输入电压噪音(NSD,RTI)为2.25 nV/√Hz,1GHz时的低输入噪音为11.3dB,5.0V和-1.8V电源,1.4Vp-p输出差分和50 Ω||1 pF的失真.

2GHz时HD2为−59.4 dBc, HD3为−54.3 dBc,IMD3为−68.2 dBc;6GHz时HD2为−66 dBc, HD3为−88.1 dBc,IMD3为−48.3 dBc.5.0V的正电流为276mA,-1.8V的负电流为-224mA.

主要用在供热通风与空气调节(HVAC),家用电器,工业自动化,马达控制和驱动.


(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

CIPOS™ Mini 600 V 30 A三相TRENCHSTOP™ IGBT,基于智能功率模块和开路发射极,采用DIP 36x21D封装. IM535-U6D提供全特性的紧凑的逆变器带DCB衬底解决方案,具有极好的热特性.

基于TRENCHSTOP™ IGBT和抗并联二极管,优化的SOI栅极驱动器,以及极好热导性和电绝缘,从而具有更高的功率能力.

器件具有30A逆变器电流额度,集成了自举功能,过流关断,在保护时所有6个开关关断,所有通路具有欠压锁住.器件具有睡眠功能,防止交叉导通,10kHz时的马达额定功率高达3000W,满足UL认证.

制造商:Vishay 产品种类:ESD 抑制器/TVS 二极管 产品类型:TVS Diodes 极性:Unidirectional 工作电压:33 V 通道数量:1 Channel 端接类型:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-218AB-2 击穿电压:36.7 V 钳位电压:53.3 V 峰值脉冲功耗 (Pppm):6.6 kW Ipp - 峰值脉冲电流:124 A 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 175 C 系列: 资格:AEC-Q101 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 商标:Vishay Semiconductors Pd-功率耗散:8 W 750 子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes 商标名: 零件号别名:SM8S33ATHE3/I 单位重量:2.600 g

差分或单端输入到差分输出,100MHz时的输入电压噪音(NSD,RTI)为2.25 nV/√Hz,1GHz时的低输入噪音为11.3dB,5.0V和-1.8V电源,1.4Vp-p输出差分和50 Ω||1 pF的失真.

2GHz时HD2为−59.4 dBc, HD3为−54.3 dBc,IMD3为−68.2 dBc;6GHz时HD2为−66 dBc, HD3为−88.1 dBc,IMD3为−48.3 dBc.5.0V的正电流为276mA,-1.8V的负电流为-224mA.

主要用在供热通风与空气调节(HVAC),家用电器,工业自动化,马达控制和驱动.


(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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