1200V绝缘体上硅(SOI)栅极驱动IC过电流保护
发布时间:2021/1/29 19:13:55 访问次数:562
IM828-XCC CIPOS IPM是三相智能功率模块,把多种功率开关和控制器件集成于一个封装内,从而增强可靠性,减小PCB尺寸并降低系统成本.
该功率模块, 采用1200 V CoolSiC™ MOSFET芯片,在10 KHz时,可提供超过4.8 kW的电机功率输出,具有高可靠的1200V 绝缘体上硅(SOI)栅极驱动IC,过电流保护,全通道欠压锁定保护,触发保护时六个开关器件全部关闭,内置死区时间,能防止直通短路.
独立的热敏电阻用于过温保护,故障清除时间可调.具有UL认证.
制造商:Texas Instruments产品种类:运算放大器 - 运放RoHS: 安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8通道数量:2 Channel电源电压-最大:32 VGBP-增益带宽产品:1 MHz每个通道的输出电流:30 mASR - 转换速率 :0.1 V/usVos - 输入偏置电压 :7 mV电源电压-最小:3 V最小工作温度:0 C最大工作温度:+ 70 CIb - 输入偏流:100 nA工作电源电流:250 uA关闭:No ShutdownCMRR - 共模抑制比:65 dB to 85 dB系列:封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel放大器类型:Low Power Amplifier输入类型:Rail-to-Rail产品:Operational Amplifiers电源类型:Single, Dual商标:Texas Instruments最小双重电源电压:+/- 1.5 V工作电源电压:3 V to 32 V, +/- 1.5 V to +/- 16 V产品类型:Op Amps - Operational Amplifiers2500子类别:Amplifier ICsVcm - 共模电压:3 V to 32 V单位重量:180 mg
STSPIN32F0252是系统封装芯片250V三相控制器,嵌入了ARM® 32位 Cortex®-M0 CPU和250V三相半桥栅极驱动器,能够驱动N沟功率MOSFET或IGBT.
器件还集成了具有先进smartSD功能的比较器,从而保证快速和有效的对过载和过流的保护.
器件还集成了高压自举二极管,以及抗交叉导通,死区和低和高驱动部分的UVLO保护,从而避免了功率开关工作在低效率或危险条件.
低和高边部分的匹配延迟保证了没有周期失真.
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
IM828-XCC CIPOS IPM是三相智能功率模块,把多种功率开关和控制器件集成于一个封装内,从而增强可靠性,减小PCB尺寸并降低系统成本.
该功率模块, 采用1200 V CoolSiC™ MOSFET芯片,在10 KHz时,可提供超过4.8 kW的电机功率输出,具有高可靠的1200V 绝缘体上硅(SOI)栅极驱动IC,过电流保护,全通道欠压锁定保护,触发保护时六个开关器件全部关闭,内置死区时间,能防止直通短路.
独立的热敏电阻用于过温保护,故障清除时间可调.具有UL认证.
制造商:Texas Instruments产品种类:运算放大器 - 运放RoHS: 安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8通道数量:2 Channel电源电压-最大:32 VGBP-增益带宽产品:1 MHz每个通道的输出电流:30 mASR - 转换速率 :0.1 V/usVos - 输入偏置电压 :7 mV电源电压-最小:3 V最小工作温度:0 C最大工作温度:+ 70 CIb - 输入偏流:100 nA工作电源电流:250 uA关闭:No ShutdownCMRR - 共模抑制比:65 dB to 85 dB系列:封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel放大器类型:Low Power Amplifier输入类型:Rail-to-Rail产品:Operational Amplifiers电源类型:Single, Dual商标:Texas Instruments最小双重电源电压:+/- 1.5 V工作电源电压:3 V to 32 V, +/- 1.5 V to +/- 16 V产品类型:Op Amps - Operational Amplifiers2500子类别:Amplifier ICsVcm - 共模电压:3 V to 32 V单位重量:180 mg
STSPIN32F0252是系统封装芯片250V三相控制器,嵌入了ARM® 32位 Cortex®-M0 CPU和250V三相半桥栅极驱动器,能够驱动N沟功率MOSFET或IGBT.
器件还集成了具有先进smartSD功能的比较器,从而保证快速和有效的对过载和过流的保护.
器件还集成了高压自举二极管,以及抗交叉导通,死区和低和高驱动部分的UVLO保护,从而避免了功率开关工作在低效率或危险条件.
低和高边部分的匹配延迟保证了没有周期失真.
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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