集成到RF模块器件能很容易在元件间开关工作在不同的频率
发布时间:2023/4/30 0:06:26 访问次数:66
控制器的睡眠电流虽然只有0.1uA,但是监视功能开通时却要12uA电流,功耗为36uW.
另一个一流控制器的睡眠电流为0.5uA, 监视功能开通时却要61uA电流,功耗为152uW,是同样应用的PSoC的50x.
能够在不同的时钟周期重新使用不同的功能,设计者能在许多情况下达到多于120%的芯片利用率.为了缩短设计周期,PSoC系统包括有预先编程的,特别的型号以用于照明,能源,马达控制,通信,汽车电子和电池等方面的应用.
制造商:Infineon 产品种类:MOSFET RoHS: 详细信息 技术:Si 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:500 V Id-连续漏极电流:24.8 A Rds On-漏源导通电阻:170 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V Qg-栅极电荷:47.2 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:152 W 通道模式:Enhancement 商标名:CoolMOS 封装:Tube 配置:Single 高度:15.65 mm 长度:10 mm 系列:CoolMOS CE 晶体管类型:1 N-Channel 宽度:4.4 mm 商标:Infineon Technologies 下降时间:7.5 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:8.5 ns 工厂包装数量:500 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:54 ns 典型接通延迟时间:9.5 ns 零件号别名:IPP50R190CE SP000850802 单位重量:6g
福建芯鸿科技有限公司http://xhkjgs.51dzw.com
每种系列都有参考设计和很多的应用手册,以加速应用开发.
当集成到RF模块，该器件能很容易在元件间开关，工作在不同的频率。这使允许微微型基站和手机能重新配置，在CDMA，GSM和GPRS技术中转换。
最初提供单刀双掷开关，开关封装在5x5mm表面封装中，工作电压低于5V，插入损耗小于0.5dB，绝缘度最低限度为40dB。
所有的PSoC器件都是动态可重新配置,使设计者能在不工作时产生新的系统功能.
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
控制器的睡眠电流虽然只有0.1uA,但是监视功能开通时却要12uA电流,功耗为36uW.
另一个一流控制器的睡眠电流为0.5uA, 监视功能开通时却要61uA电流,功耗为152uW,是同样应用的PSoC的50x.
能够在不同的时钟周期重新使用不同的功能,设计者能在许多情况下达到多于120%的芯片利用率.为了缩短设计周期,PSoC系统包括有预先编程的,特别的型号以用于照明,能源,马达控制,通信,汽车电子和电池等方面的应用.
制造商:Infineon 产品种类:MOSFET RoHS: 详细信息 技术:Si 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:500 V Id-连续漏极电流:24.8 A Rds On-漏源导通电阻:170 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V Qg-栅极电荷:47.2 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:152 W 通道模式:Enhancement 商标名:CoolMOS 封装:Tube 配置:Single 高度:15.65 mm 长度:10 mm 系列:CoolMOS CE 晶体管类型:1 N-Channel 宽度:4.4 mm 商标:Infineon Technologies 下降时间:7.5 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:8.5 ns 工厂包装数量:500 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:54 ns 典型接通延迟时间:9.5 ns 零件号别名:IPP50R190CE SP000850802 单位重量:6g
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当集成到RF模块，该器件能很容易在元件间开关，工作在不同的频率。这使允许微微型基站和手机能重新配置，在CDMA，GSM和GPRS技术中转换。
最初提供单刀双掷开关，开关封装在5x5mm表面封装中，工作电压低于5V，插入损耗小于0.5dB，绝缘度最低限度为40dB。
所有的PSoC器件都是动态可重新配置,使设计者能在不工作时产生新的系统功能.
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