单刀双掷模拟开关高频PWM的低边的信号
发布时间:2021/1/28 18:15:19 访问次数:372
低失真模拟开关STG3157CTR，用作手机，PDA，GPS和CD-ROM器件中的信号路由。STG3157CTR是单刀双掷模拟开关，封装为极小的SOT323 6引脚表面安装封装，用在空间要求很严格的地方。
该器件的工作电压为1.65V-5.5V.因此，能用在各种手提设备中。
在环境温度25度C时最大的静态电流为1μA。它的导通电阻在Vcc=3.3V时小于9欧姆，能最小化信号失真，使信号有高保真的路由。
它的输入和输出都有防静电放电保护。
制造商:Infineon 产品种类:MOSFET RoHS: 详细信息 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TO-263-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:200 V Id-连续漏极电流:72 A Rds On-漏源导通电阻:22 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:1.8 V Qg-栅极电荷:100 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 175 C Pd-功率耗散:375 W 通道模式:Enhancement 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 高度:2.3 mm 长度:6.5 mm 晶体管类型:1 N-Channel 宽度:6.22 mm 商标:Infineon Technologies 正向跨导 - 最小值:79 S 下降时间:22 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:18 ns 工厂包装数量:800 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:56 ns 典型接通延迟时间:17 ns 单位重量:4 g
电流传感特性使负载电流能精确地监视，以提供另外的数据到微控制器用作诊断。典型的例子包括对有故障的照明灯的开路检测。当短路或过载出现时，为了保护电控制单元（ECU）和应用电路免受损害，保护电路是需要的。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
低失真模拟开关STG3157CTR，用作手机，PDA，GPS和CD-ROM器件中的信号路由。STG3157CTR是单刀双掷模拟开关，封装为极小的SOT323 6引脚表面安装封装，用在空间要求很严格的地方。
该器件的工作电压为1.65V-5.5V.因此，能用在各种手提设备中。
在环境温度25度C时最大的静态电流为1μA。它的导通电阻在Vcc=3.3V时小于9欧姆，能最小化信号失真，使信号有高保真的路由。
它的输入和输出都有防静电放电保护。
制造商:Infineon 产品种类:MOSFET RoHS: 详细信息 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TO-263-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:200 V Id-连续漏极电流:72 A Rds On-漏源导通电阻:22 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:1.8 V Qg-栅极电荷:100 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 175 C Pd-功率耗散:375 W 通道模式:Enhancement 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 高度:2.3 mm 长度:6.5 mm 晶体管类型:1 N-Channel 宽度:6.22 mm 商标:Infineon Technologies 正向跨导 - 最小值:79 S 下降时间:22 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:18 ns 工厂包装数量:800 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:56 ns 典型接通延迟时间:17 ns 单位重量:4 g
电流传感特性使负载电流能精确地监视，以提供另外的数据到微控制器用作诊断。典型的例子包括对有故障的照明灯的开路检测。当短路或过载出现时，为了保护电控制单元（ECU）和应用电路免受损害，保护电路是需要的。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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