650V降低开关损耗提高高频应用的效率
发布时间:2021/1/26 17:58:21 访问次数:199
10个新的650 V碳化硅(SiC)肖特基二极管。 Vishay Semiconductors器件采用合并的PIN肖特基(MPS)设计,旨在通过降低开关损耗来提高高频应用的效率,而不受温度变化的影响,从而使二极管能够在更高的温度下工作。
二极管的MPS设计可屏蔽来自肖特基势垒的电场,以减少泄漏电流,同时通过空穴注入提高浪涌电流能力。与纯硅肖特基器件相比,这些二极管可处理相同水平的电流,而正向压降仅稍有增加,同时显示出更高的坚固性。
SmartLynq+模块的主要功能和接口:
主机端USB 3.0连接器,千兆以太网连接到网络,实现远程访问
高速调试端口(HSDP),用于更快的编程、调试和高速串行跟踪
JTAG (PC4头部)提供高达100MHz的速度
8位通用I/O (GPIO)端口,用于目标板上的各种基本输入/输出操作
并联跟踪用Mictor-38连接器
器件用于服务器,电信设备,UPS和太阳能逆变器的反激式电源和LLC转换器中的PFC和输出整流,它们为设计人员提供了在系统优化方面更大的灵活性。这些二极管采用2L TO-220AC和TO-247AD 3L封装,额定电流范围为4 A至40 A,可在+175°C的高温下工作。
器件用于服务器,电信设备,UPS和太阳能逆变器的反激式电源和LLC转换器中的PFC和输出整流,它们为设计人员提供了在系统优化方面更大的灵活性。这些二极管采用2L TO-220AC和TO-247AD 3L封装,额定电流范围为4 A至40 A,可在+175°C的高温下工作。
(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)
10个新的650 V碳化硅(SiC)肖特基二极管。 Vishay Semiconductors器件采用合并的PIN肖特基(MPS)设计,旨在通过降低开关损耗来提高高频应用的效率,而不受温度变化的影响,从而使二极管能够在更高的温度下工作。
二极管的MPS设计可屏蔽来自肖特基势垒的电场,以减少泄漏电流,同时通过空穴注入提高浪涌电流能力。与纯硅肖特基器件相比,这些二极管可处理相同水平的电流,而正向压降仅稍有增加,同时显示出更高的坚固性。
SmartLynq+模块的主要功能和接口:
主机端USB 3.0连接器,千兆以太网连接到网络,实现远程访问
高速调试端口(HSDP),用于更快的编程、调试和高速串行跟踪
JTAG (PC4头部)提供高达100MHz的速度
8位通用I/O (GPIO)端口,用于目标板上的各种基本输入/输出操作
并联跟踪用Mictor-38连接器
器件用于服务器,电信设备,UPS和太阳能逆变器的反激式电源和LLC转换器中的PFC和输出整流,它们为设计人员提供了在系统优化方面更大的灵活性。这些二极管采用2L TO-220AC和TO-247AD 3L封装,额定电流范围为4 A至40 A,可在+175°C的高温下工作。
器件用于服务器,电信设备,UPS和太阳能逆变器的反激式电源和LLC转换器中的PFC和输出整流,它们为设计人员提供了在系统优化方面更大的灵活性。这些二极管采用2L TO-220AC和TO-247AD 3L封装,额定电流范围为4 A至40 A,可在+175°C的高温下工作。
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