VTT-LDO 为 2A 灌/拉电流跟踪系统终端调节器。它专门设计用于低成本/少量外部元器件的系统，这些系统对空间利用率要求很高。

并联连接两个10μF陶瓷电容器，以最大程度地减小ESR和ESL的影响。如果ESR大于10mΩ，则在输出和VTTSEN输入之间插入一个R-C滤波器，以实现环路稳定性。R-C滤波器的时间常数应几乎等于或略低于输出电容器及其ESR的时间常数。

由于MPQ20073是线性稳压器，因此VTT电流在源极和吸收极两个方向上的流动都会产生器件的功耗。

产品种类:MOSFET RoHS: 详细信息 技术:Si 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:75 V Id-连续漏极电流:140 A Rds On-漏源导通电阻:7 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:2 V Qg-栅极电荷:150 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 175 C Pd-功率耗散:330 W 通道模式:Enhancement 封装:Tube 配置:Single 高度:15.65 mm 长度:10 mm 晶体管类型:1 N-Channel 宽度:4.4 mm 商标:Infineon / IR 产品类型:MOSFET 工厂包装数量:1000 子类别:MOSFETs 单位重量:6 g

高精度电源转换、测量和控制系统等解决方案，这方面的技术更一直领先全球。该公司推出一款全新的 Paramount HP 10013 射频电源。新产品推出之后，该公司旗舰产品 Paramount RF (射频) 电源系列将会有更多型号可供选择。

Advanced Energy 的等离子工艺设备电源系统适用于半导体蚀刻、介电质蚀刻、沉积、溅镀、离子植入等半导体和等离子薄膜工艺设备，Paramount HP 10013 沿用这种在市场一直居领导地位的等离子工艺电源技术，但性能则有进一步的提升.

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