根据台积电3nm制程的进度，预计将在2021年试产，在2022年下半年进入量产，帮助英特尔代工3nm处理器芯片。

三星也曾对外称其3nm GAA的成本可能会超过5亿美元，预期在2022年大规模生产采用比FinFET更为先进的GAAFET 3nm制程芯片。

回归到5nm移动处理器的实际情况，无论是出自哪家厂商的设计与生产，均面临性能和功耗方面的问题，5nm芯片似乎还未成熟，3nm量产就要今年开始试产。越来越趋于摩尔定律极限的3nm.

最大工作温度:+ 85 C Ib - 输入偏流:60 pA 工作电源电流:13 uA 关闭:No Shutdown CMRR - 共模抑制比:70 dB to 83 dB en - 输入电压噪声密度:72 nV/sqrt Hz 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 放大器类型:Low Power Amplifier 特点:High Cload Drive 高度:1.15 mm 输入类型:Rail-to-Rail 长度:2.9 mm 输出类型:Rail-to-Rail 产品:Operational Amplifiers 电源类型:Single, Dual 技术:LinCMOS 宽度:1.6 mm 商标:Texas Instruments 

英特尔和IBM的芯片工艺发展中可以看出，在工艺制程从180nm到45nm的演进过程中，晶体管集成度增速不同，动态功耗或增加或减少，但静态功耗一直呈上升趋势， 45nm时，静态功耗几乎与动态功耗持平。

尽管一些设计厂商宁愿在降低功耗上做出牺牲也要提升性能，但也不得不面对高功耗带来的负面影响。

对于用户而言，设备发热严重以及耗电严重是高功耗带来的直接影响，如果芯片散热不好，严重时会导致芯片异常甚至失效。

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