16nm或14nm处理器速度漏电流玄铁910芯片
发布时间:2021/1/24 8:41:23 访问次数:1246
用于AI、嵌入式、IoT等领域，移动终端领域至一直仍未有相关RISC-V芯片厂商涉足，主要还是安卓系统对RISC-V支持不够。
平头哥半导体完成了安卓10对RISC-V的移植并开源了全部相关代码。从平头哥社区发布的信息来看，安卓10系统已经可以在玄铁910芯片上流畅运行。
平头哥基于安卓开源项目(AOSP)实现了对RISC-V架构的支持。安卓软件栈主要包括系统内核、硬件抽象、运行时、框架层、应用五个层次的近千个软件包.
电源电压-最大:10 V GBP-增益带宽产品:65 kHz 每个通道的输出电流:50 mA SR - 转换速率 :0.025 V/us Vos - 输入偏置电压 :3 mV 电源电压-最小:2.7 V 最小工作温度:- 40 C 双重电源电压:+/- 3 V In—输入噪声电流密度:0.0006 pA/sqrt Hz 最大双重电源电压:+/- 5 V
当我们升级到16nm或14nm时，处理器速度有了很大的提高，而且漏电流也下降得比较快，以至于我们在使用处理器时能够用有限的电量做更多的事情。不过当从7nm到5nm的过程中，漏电情况又变得严重，几乎与28nm水平相同，现在我们不得不去平衡他们。
很多人都没有弄清能够消耗如此多电能的东西，他们需要提前获取工作负载的信息才能优化动态功耗。长期以来，我们一直专注于静态功耗，以至于一旦切换到FinFET节点时，动态功耗就成为大问题。另外多核心的出现也有可能使系统过载，因此必须有更智能的解决方案。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
用于AI、嵌入式、IoT等领域，移动终端领域至一直仍未有相关RISC-V芯片厂商涉足，主要还是安卓系统对RISC-V支持不够。
平头哥半导体完成了安卓10对RISC-V的移植并开源了全部相关代码。从平头哥社区发布的信息来看，安卓10系统已经可以在玄铁910芯片上流畅运行。
平头哥基于安卓开源项目(AOSP)实现了对RISC-V架构的支持。安卓软件栈主要包括系统内核、硬件抽象、运行时、框架层、应用五个层次的近千个软件包.
电源电压-最大:10 V GBP-增益带宽产品:65 kHz 每个通道的输出电流:50 mA SR - 转换速率 :0.025 V/us Vos - 输入偏置电压 :3 mV 电源电压-最小:2.7 V 最小工作温度:- 40 C 双重电源电压:+/- 3 V In—输入噪声电流密度:0.0006 pA/sqrt Hz 最大双重电源电压:+/- 5 V
当我们升级到16nm或14nm时，处理器速度有了很大的提高，而且漏电流也下降得比较快，以至于我们在使用处理器时能够用有限的电量做更多的事情。不过当从7nm到5nm的过程中，漏电情况又变得严重，几乎与28nm水平相同，现在我们不得不去平衡他们。
很多人都没有弄清能够消耗如此多电能的东西，他们需要提前获取工作负载的信息才能优化动态功耗。长期以来，我们一直专注于静态功耗，以至于一旦切换到FinFET节点时，动态功耗就成为大问题。另外多核心的出现也有可能使系统过载，因此必须有更智能的解决方案。
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