高压侧切换的新型NTD60N02R和外设控制器
发布时间:2021/1/23 16:30:11 访问次数:576
NCP5331采用7 mm x 7 mm 32引脚无引线四方扁平(QFN)封装,有效节省了主板空间,尺寸比竞争对手的更小。现已提供评估板,简化产品设计。
为支持AMD新型微处理器结构为本的系统的NCP5331应用,安森美半导体推荐两款最新N沟道功率MOSFET--用于高压侧的60安培/28伏NTD60N03开关,和用于低压侧的80安培/24伏NTD80N02开关。NTD60N03器件优化了快速切换,而NTD80N02优化了低导通电阻RDS(ON)。
这些特征有助于极大地提高系统功效。
制造商:NXP 产品种类:ARM微控制器 - MCU RoHS: 详细信息 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:MAPBGA-44 核心:ARM Cortex M0+ 程序存储器大小:128 kB 数据总线宽度:32 bit ADC分辨率:24 bit 最大时钟频率:50 MHz 输入/输出端数量:20 I/O 数据 RAM 大小:16 kB 工作电源电压:3.3 V 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tray 产品:MCU 程序存储器类型:Flash 商标:NXP Semiconductors 数据 Ram 类型:RAM 接口类型:I2C, SPI, UART 模拟电源电压:3.3 V I/O 电压:3.3 V 湿度敏感性:Yes 处理器系列:ARM Cortex 产品类型:ARM Microcontrollers - MCU 工厂包装数量:2450 子类别:Microcontrollers - MCU 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:1.71 V 零件号别名:935320003557 单位重量:97.800 mg
MOSFET的另一组选择是用于高压侧切换的新型NTD60N02R (60安培 / 24伏)或NTD70N03(70安培/25伏)以及用于低压侧切换的NTD85N02R(85安培/24伏)或NTD110N02R(110安培/24伏)。
(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)
NCP5331采用7 mm x 7 mm 32引脚无引线四方扁平(QFN)封装,有效节省了主板空间,尺寸比竞争对手的更小。现已提供评估板,简化产品设计。
为支持AMD新型微处理器结构为本的系统的NCP5331应用,安森美半导体推荐两款最新N沟道功率MOSFET--用于高压侧的60安培/28伏NTD60N03开关,和用于低压侧的80安培/24伏NTD80N02开关。NTD60N03器件优化了快速切换,而NTD80N02优化了低导通电阻RDS(ON)。
这些特征有助于极大地提高系统功效。
制造商:NXP 产品种类:ARM微控制器 - MCU RoHS: 详细信息 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:MAPBGA-44 核心:ARM Cortex M0+ 程序存储器大小:128 kB 数据总线宽度:32 bit ADC分辨率:24 bit 最大时钟频率:50 MHz 输入/输出端数量:20 I/O 数据 RAM 大小:16 kB 工作电源电压:3.3 V 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tray 产品:MCU 程序存储器类型:Flash 商标:NXP Semiconductors 数据 Ram 类型:RAM 接口类型:I2C, SPI, UART 模拟电源电压:3.3 V I/O 电压:3.3 V 湿度敏感性:Yes 处理器系列:ARM Cortex 产品类型:ARM Microcontrollers - MCU 工厂包装数量:2450 子类别:Microcontrollers - MCU 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:1.71 V 零件号别名:935320003557 单位重量:97.800 mg
MOSFET的另一组选择是用于高压侧切换的新型NTD60N02R (60安培 / 24伏)或NTD70N03(70安培/25伏)以及用于低压侧切换的NTD85N02R(85安培/24伏)或NTD110N02R(110安培/24伏)。
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