器件的发射极直接扩散进P网孔层N+带状代替单元

发布时间:2021/1/21 20:13:47 访问次数:583

200A电流的IGBT系列STGE200NB60S，在大电流时的正向压降很低。这种器件保证有低的导通损耗而没有采用重金属掺杂或电辐射的方法来降低少数载流子的寿命。

该器件可用在铝焊接机和感应加热设备以及不间断电源(UPS)和开关电源(SMPS)。

STGE200NB60S是ST公司PowerMESH IGBT系列中一员，它采用专利的带状布局。

"网孔覆盖"技术是基于带状的新型高压工艺，它由扩散到IGBT N型外延层的P型网孔结构组成。N+带状代替单元，使器件的发射极直接扩散进P网孔层。

制造商:NXP 产品种类:UART 接口集成电路 RoHS: 详细信息通道数量:1 Channel 数据速率:5 Mb/s 存储容量:64 B 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 工作电源电流:6 mA 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSSOP-24 封装:Tube 高度:0.95 mm 长度:7.9 mm 类型:IrDA/RS-232/RS-485 宽度:4.5 mm 商标:NXP Semiconductors 工作电源电压:2.5 V, 3.3 V 产品类型:UART Interface IC 工厂包装数量:1575 子类别:Interface ICs 零件号别名:935279278112 单位重量:100 mg

峰值发送波长是红外940nm。表面安装省去了过孔引脚或导线，使体积更小。集电极电流(Icon)最小为100μA，最大为600μA，集电极-发射极饱和压降(Vcesat)最大为0l.4V,工作温度(Topr)为-55度到+100度，回流焊接温度峰值为240度。

工业上要制造更小尺寸如90纳米或更小的尺寸浮置栅闪存是不可能的。在这样的尺寸，要用9-12V的高压晶体管来写和擦除闪存，变得太贵了。同时，工程师也不能降低浮置栅闪存的高压而不影响到可靠性，而冒存储器失效和数据丢失的风险。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）

该器件可用在铝焊接机和感应加热设备以及不间断电源(UPS)和开关电源(SMPS)。

STGE200NB60S是ST公司PowerMESH IGBT系列中一员，它采用专利的带状布局。

"网孔覆盖"技术是基于带状的新型高压工艺，它由扩散到IGBT N型外延层的P型网孔结构组成。N+带状代替单元，使器件的发射极直接扩散进P网孔层。

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