低成本Delta-Sigma全差分自校准的ADC转换
发布时间:2021/1/21 20:02:32 访问次数:673
M50FW016有32个均匀区块，每个64KB，M50LPW116有非对称区块，50个区块分成一个16KB的引导区，两个8KB的参数区，一个32KB的主区，30个64KB的主区和16个4KB的参数区。
两种器件的编程时间是10us，可通过四倍字节编程命令在存储器阵列同时对四个相邻字节进行编程，64KB区块的擦除时间为0.75us，也可提供整片擦除操作。
其它的共同特性是：双重区块保护(第一种是硬件，通过写保护引脚，第二种是软件，通过锁住寄存器)和辩认输入引脚，允许多达16个器件连接在同一总线上。
制造商:STMicroelectronics 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:60 V Id-连续漏极电流:60 A Rds On-漏源导通电阻:14 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:2 V Qg-栅极电荷:54 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 175 C Pd-功率耗散:110 W 通道模式:Enhancement 封装:Tube 配置:Single 高度:9.15 mm 长度:10.4 mm 晶体管类型:1 N-Channel Power MOSFET 宽度:4.6 mm 商标:STMicroelectronics 正向跨导 - 最小值:50 S 下降时间:16 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:60 ns 工厂包装数量1000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:40 ns 典型接通延迟时间:15 ns 单位重量:330 mg
低成本Delta-Sigma模数转换器(ADC)ADS1110，它采用SOT23-6封装。
ADS1110采用2.048V基准电压(0.05%精度，5ppm/C漂移)进行全差分自校准的ADC转换，每秒可编取样速率15，30，60或240次。
可编增益放大器的增益高达8，使较小的信号能以较高的分辨率进行测量。
工作电压为单电源2.7到5.5V，电流为240uA，可配置成一次转换后自动降功耗模式。器件也提供I2C接口。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
M50FW016有32个均匀区块，每个64KB，M50LPW116有非对称区块，50个区块分成一个16KB的引导区，两个8KB的参数区，一个32KB的主区，30个64KB的主区和16个4KB的参数区。
两种器件的编程时间是10us，可通过四倍字节编程命令在存储器阵列同时对四个相邻字节进行编程，64KB区块的擦除时间为0.75us，也可提供整片擦除操作。
其它的共同特性是：双重区块保护(第一种是硬件，通过写保护引脚，第二种是软件，通过锁住寄存器)和辩认输入引脚，允许多达16个器件连接在同一总线上。
制造商:STMicroelectronics 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:60 V Id-连续漏极电流:60 A Rds On-漏源导通电阻:14 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:2 V Qg-栅极电荷:54 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 175 C Pd-功率耗散:110 W 通道模式:Enhancement 封装:Tube 配置:Single 高度:9.15 mm 长度:10.4 mm 晶体管类型:1 N-Channel Power MOSFET 宽度:4.6 mm 商标:STMicroelectronics 正向跨导 - 最小值:50 S 下降时间:16 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:60 ns 工厂包装数量1000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:40 ns 典型接通延迟时间:15 ns 单位重量:330 mg
低成本Delta-Sigma模数转换器(ADC)ADS1110，它采用SOT23-6封装。
ADS1110采用2.048V基准电压(0.05%精度，5ppm/C漂移)进行全差分自校准的ADC转换，每秒可编取样速率15，30，60或240次。
可编增益放大器的增益高达8，使较小的信号能以较高的分辨率进行测量。
工作电压为单电源2.7到5.5V，电流为240uA，可配置成一次转换后自动降功耗模式。器件也提供I2C接口。
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