预提取4位差分锁存和可变数据输出阻抗调整
发布时间:2021/1/21 13:12:37 访问次数:386
新元件的其它特性包括预提取4位，差分锁存和可变数据输出阻抗调整。它是采用Infineon公司的下一代110nm DRAM工艺制造。由此制造1GB DDR SO-DIMM PC2100可用在高端笔记本电脑和膝上型电脑。
1GB SO-DIMM采用8个1Gb元件，它用Infinoen的两个512Mb芯片封装一个封装内。这种封装是1Gb DDR-I元件符合JEDEC PC2100的标准形状系数。它采用200引脚的连接器，工作在5V，有两个128MbX64组。
制造商:NXP 产品种类:交流/直流转换器 RoHS: 详细信息 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:HVSON-16 输出电压:2.9 V to 21 V 输出功率:30 mW 输入/电源电压—最小值:0 V 输入/电源电压—最大值:21 V 开关频率:10 MHz 工作电源电流:3 mA 最小工作温度:- 20 C 最大工作温度:+ 105 C 系列:TEA19051BTK 封装:Reel 绝缘:Non-Isolated 输出端数量:2 Output 产品:USB Controllers 类型:USB Type-C 商标:NXP Semiconductors 产品类型:AC/DC Converters 工厂包装数量:4000 子类别:PMIC - Power Management ICs
XE1401设计成能用在SCO和ACL两种连接类型。
XE1401的灵活性和容易使用的特点意味着它支持各种蓝牙无线电芯片如Skyworks和Silicon Wave，甚至还包括功率管理单元以允许不同的电源电压。
把XE1401和Skyworks蓝牙无线电芯片CX72303和XEMICS超低功率CODEC XE3005，就可以建立蓝牙手持产品，用HV3链接时在1.8V消耗的功耗小于22mW。
1Gb DDR SDRAM是采用业界最先进的0.11um堆栈电容工艺制造。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
新元件的其它特性包括预提取4位，差分锁存和可变数据输出阻抗调整。它是采用Infineon公司的下一代110nm DRAM工艺制造。由此制造1GB DDR SO-DIMM PC2100可用在高端笔记本电脑和膝上型电脑。
1GB SO-DIMM采用8个1Gb元件，它用Infinoen的两个512Mb芯片封装一个封装内。这种封装是1Gb DDR-I元件符合JEDEC PC2100的标准形状系数。它采用200引脚的连接器，工作在5V，有两个128MbX64组。
制造商:NXP 产品种类:交流/直流转换器 RoHS: 详细信息 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:HVSON-16 输出电压:2.9 V to 21 V 输出功率:30 mW 输入/电源电压—最小值:0 V 输入/电源电压—最大值:21 V 开关频率:10 MHz 工作电源电流:3 mA 最小工作温度:- 20 C 最大工作温度:+ 105 C 系列:TEA19051BTK 封装:Reel 绝缘:Non-Isolated 输出端数量:2 Output 产品:USB Controllers 类型:USB Type-C 商标:NXP Semiconductors 产品类型:AC/DC Converters 工厂包装数量:4000 子类别:PMIC - Power Management ICs
XE1401设计成能用在SCO和ACL两种连接类型。
XE1401的灵活性和容易使用的特点意味着它支持各种蓝牙无线电芯片如Skyworks和Silicon Wave，甚至还包括功率管理单元以允许不同的电源电压。
把XE1401和Skyworks蓝牙无线电芯片CX72303和XEMICS超低功率CODEC XE3005，就可以建立蓝牙手持产品，用HV3链接时在1.8V消耗的功耗小于22mW。
1Gb DDR SDRAM是采用业界最先进的0.11um堆栈电容工艺制造。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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