指针向右摆动幅度的大小可估测出电解电容的容量
发布时间:2021/1/18 12:43:44 访问次数:794
程序读取数据的速度要不慢于设备往缓冲区中存放数据的速度，这样才能保证连续运行时，缓冲区中的数据不会溢出。可以通过调节以下3个参数来达到上述要求：
buffer size（缓存的大小）
scan rate（采样速率）
number of scans to read at a time（每次读取的样本数）
LabVIEW 中的模拟输入
连续模拟输入
制造商:Microchip产品种类:MOSFETRoHS:N技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-254AA-3商标:Microchip / Microsemi产品类型:MOSFET100子类别:MOSFETs单位重量:300 mg
高度:1.4 mm长度:7 mm程序存储器类型:Flash宽度:7 mm商标:STMicroelectronics数据 Ram 类型:RAM数据 ROM 大小:1024 B数据 Rom 类型:EEPROM接口类型:I2C, SPI, UART
C 对于正、负极标志不明的电解电容器，可利用上述测量漏电阻的方法加以判别。即先任意测一下漏电阻，记住其大小，然后交换表笔再测出一个阻值。
D 使用万用表电阻挡，采用给电解电容进行正、反向充电的方法，根据指针向右摆动幅度的大小，可估测出电解电容的容量。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
程序读取数据的速度要不慢于设备往缓冲区中存放数据的速度，这样才能保证连续运行时，缓冲区中的数据不会溢出。可以通过调节以下3个参数来达到上述要求：
buffer size（缓存的大小）
scan rate（采样速率）
number of scans to read at a time（每次读取的样本数）
LabVIEW 中的模拟输入
连续模拟输入
制造商:Microchip产品种类:MOSFETRoHS:N技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-254AA-3商标:Microchip / Microsemi产品类型:MOSFET100子类别:MOSFETs单位重量:300 mg
高度:1.4 mm长度:7 mm程序存储器类型:Flash宽度:7 mm商标:STMicroelectronics数据 Ram 类型:RAM数据 ROM 大小:1024 B数据 Rom 类型:EEPROM接口类型:I2C, SPI, UART
C 对于正、负极标志不明的电解电容器，可利用上述测量漏电阻的方法加以判别。即先任意测一下漏电阻，记住其大小，然后交换表笔再测出一个阻值。
D 使用万用表电阻挡，采用给电解电容进行正、反向充电的方法，根据指针向右摆动幅度的大小，可估测出电解电容的容量。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
相关技术资料- 5-8集成SOC 驱动芯片 GD30DRE508 系列
- 5-8ARM Cortex-M7 600MHz 内核GD3
- 5-8存储、MCU 及模拟芯片应用前景分析
- 5-8高倍率磷酸铁锂电池技术发展趋势
- 5-8模块化多电平架构（MMC）应用参数配置
- 5-8构网型变流器核心技术及应用探究
- 5-7储能逆变、变频器、伺服电机及光通信应用场景
- 5-7第二代0.7微米5000万像素CIS GC50E1
- 5-7PACK、储能系统集成、逆变器及储能解读
- 5-7单帧高动态 DAG HDR 技术单芯片高像素CIS架
- 5-7第四代超薄叠片工艺与创新三维集流技术探究
- 5-7行业技术标杆Mr.Big系列600Ah+储能电芯
公网安备44030402000607
